微色谱柱及微热导检测器的集成芯片及制备方法
摘要文本
本发明提供一种微色谱柱及微热导检测器的集成芯片及制备方法,包括:双抛硅片,具有第二面及相对的第一面;图形化堆叠结构,包含交叉网状结构,其下方具有释放槽,图形化堆叠结构悬挂于释放槽中;盖基片,键合于第一面,盖基片具有微沟槽,图形化堆叠结构位于微沟槽内;微色谱柱的微沟道,形成于第二面中,微沟道内具有微柱阵列,微沟道与释放槽连通;底基片,键合于第二面,以形成包含微沟槽、释放槽及微沟道的微通道。本发明的微热导检测器和微色谱柱分别位于双抛硅片的第一面和第二面上,增加了设计的灵活性和工艺制作的可控性。本发明无需额外的连接部件,具有死体积低、灵敏度高等优点。。来源:马 克 数 据 网
申请人信息
- 申请人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 申请人地址:200050 上海市长宁区长宁路865号
- 发明人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 微色谱柱及微热导检测器的集成芯片及制备方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201711406527.4 |
| 申请日 | 2017年12月22日 |
| 公告号 | CN109959747B |
| 公开日 | 2024年1月16日 |
| IPC主分类号 | G01N30/60 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 发明人 | 冯飞; 田博文; 李昕欣 |
| 地址 | 上海市长宁区长宁路865号 |
专利主权项内容
1.一种微色谱柱及微热导检测器的集成芯片,其特征在于:包括:双抛硅片,包含第一面以及相对的第二面;包含硅支撑层-第一介质薄膜-热敏电阻-第二介质薄膜的图形化堆叠结构,所述图形化堆叠结构包含交叉网状结构,所述图形化堆叠结构的硅支撑层下方的所述双抛硅片被去除形成的释放槽,所述图形化堆叠结构悬挂于所述释放槽中;盖基片,键合于所述双抛硅片的第一面,所述盖基片具有微沟槽,所述图形化堆叠结构位于所述微沟槽内;微色谱柱的微沟道,形成于所述双抛硅片的第二面中,所述微沟道内具有微柱阵列,所述微沟道与所述释放槽连通;以及底基片,键合于所述双抛硅片的第二面,以形成包含所述微沟槽、所述释放槽及所述微沟道的微通道;所述双抛硅片的第一面还形成有焊盘凹槽,所述焊盘凹槽中形成有焊盘结构,所述焊盘结构与所述热敏电阻电性相连;所述交叉网状结构具有多个延伸部,各延伸部与所述双抛硅片连接,以支撑所述交叉网状结构;采用深反应离子刻蚀工艺从背面刻蚀所述双抛硅片的第二面,以于所述双抛硅片中形成微色谱柱的微沟道、位于所述微沟道内的微柱阵列及所述释放槽,其中,所述微色谱柱的微沟道底部保留有所述双抛硅片,所述释放槽中保留有所述硅支撑层。