一种CMOS LDO及改善其负载响应特性的系统
摘要文本
本发明公开了一种CMOS LDO及改善其负载响应特性的系统，包括控制模块及附加尾电流生成模块；控制模块的输入端分别与CMOS LDO中的CMOS误差放大器的正相输入端及反相输入端连接，用于当正相输入端及反相输入端的差值不为零时，生成控制信号至附加尾电流生成模块；附加尾电流生成模块用于在接收到控制信号后，在输入对管的公共端生成附加的尾电流，以减小CMOS LDO的输出过冲，当控制信号消失后，附加的尾电流变为零。本发明通过增加动态的附加的尾电流实现了CMOS LDO低静态工作电流的同时降低输出过冲，降低了CMOS LDO的功耗，提高了CMOS LDO的安全性能。 来自：马 克 团 队
申请人信息
- 申请人:上海新进芯微电子有限公司
- 申请人地址:200241 上海市闵行区紫星路1600号
- 发明人: 上海新进芯微电子有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种CMOS LDO及改善其负载响应特性的系统 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201711436667.6 |
| 申请日 | 2017年12月26日 |
| 公告号 | CN107967019B |
| 公开日 | 2024年3月22日 |
| IPC主分类号 | G05F1/56 |
| 权利人 | 上海新进芯微电子有限公司 |
| 发明人 | 张旭光; 陈晓明 |
| 地址 | 上海市闵行区紫星路1600号 |
专利主权项内容
1.一种改善CMOS LDO负载响应特性的系统，应用于CMOS LDO，其特征在于，该系统包括控制模块及附加尾电流生成模块；所述控制模块的输入端分别与所述CMOS LDO中的CMOS误差放大器的正相输入端及反相输入端连接，所述控制模块的输出端与所述附加尾电流生成模块的输入端连接，用于当所述正相输入端及所述反相输入端的差值不为零时，生成控制信号至所述附加尾电流生成模块；所述附加尾电流生成模块的输出端与所述CMOS误差放大器中输入对管的公共端连接，用于在接收到所述控制信号后，在所述输入对管的公共端生成附加的尾电流，以减小所述CMOS LDO的输出过冲，当所述控制信号消失后，所述附加的尾电流变为零；所述控制模块包括用于负脉冲过冲检测的第一比较器、用于正脉冲过冲检测的第二比较器、所述第一比较器的正相输入端及所述第二比较器的反相输入端均与所述CMOS误差放大器的反相输入端连接，所述第一比较器的反相输入端及所述第二比较器的正相输入端均与所述CMOS误差放大器的正相输入端连接，在所述CMOS误差放大器的输出出现负脉冲过程或者正脉冲过冲时，所述第一比较器或所述第二比较器输出控制信号至所述附加尾电流生成模块。 （来源 马克数据网）