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一种低热阻高响应频率大变形量电磁驱动MEMS变形镜及制作方法
摘要文本
本发明提供一种低热阻高响应频率大变形量电磁驱动MEMS变形镜，包括 : 硅结构层；在硅结构层上形成的多层线圈，每个线圈具有垫点和中心点；覆盖所述多层线圈的介电层；在硅结构层的下表面的周边区域中形成的Si衬底层；以及在所硅结构层上封装所述多层线圈的变形镜面，其中所述变形镜面包括：镜面薄膜，以及在镜面薄膜下表面的中心区域形成的连接凸点；其中，所述多层线圈的各层之间通过垫点或中心点进行接触，使得从硅结构层底起由下而上依次排序，所述多层线圈的奇数层与偶数层之间通过中心点接触，偶数层与奇数层之间通过垫点接触；在第一层线圈的垫点上以及最后一层线圈的垫点或者中心点上形成有与外部互联的两个焊点。
申请人信息
- 申请人:明德之星(北京)科技有限公司
- 申请人地址:100086 北京市海淀区中关村大街45号兴发大厦45号1001-7
- 发明人: 明德之星(北京)科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种低热阻高响应频率大变形量电磁驱动MEMS变形镜及制作方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201711115536.8 |
| 申请日 | 2017年11月13日 |
| 公告号 | CN107861236B |
| 公开日 | 2024年1月2日 |
| IPC主分类号 | G02B26/08 |
| 权利人 | 明德之星(北京)科技有限公司 |
| 发明人 | 孔庆峰; 谢海忠; 彭效冉 |
| 地址 | 北京市海淀区中关村大街45号兴发大厦45号1001-7 |
专利主权项内容
1.一种低热阻高响应频率大变形量电磁驱动MEMS变形镜，包括 : 硅结构层(11)；在硅结构层(11)上形成的多层线圈(16)，每个线圈具有垫点和中心点；覆盖所述多层线圈(16)的介电层(17)；在硅结构层(11)的下表面的周边区域中形成的硅衬底层(13)；以及在所硅结构层(11)上封装所述多层线圈(16)的变形镜面，其中所述变形镜面包括：镜面薄膜(32)，以及在镜面薄膜(32)下表面的中心区域形成的连接凸点(22)；其中，所述多层线圈的各层之间通过垫点或中心点进行接触，使得从硅结构层(11)底起由下而上依次排序，所述多层线圈的奇数层与偶数层之间通过中心点接触，偶数层与奇数层之间通过垫点接触；在第一层线圈的垫点上以及最后一层线圈的垫点或者中心点上形成有与外部互联的两个焊点。