双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池及制作方法

专利主权项内容

1.一种双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池，其特征在于，所述太阳电池由以下结构组成：n型晶体硅衬底，其具有相对的第一表面及第二表面；窗口层，形成于所述n型晶体硅衬底的第一表面，其包括具有宽光学带隙的本征非晶硅或者微晶硅薄膜以及n型掺杂的非晶硅或者微晶硅薄膜，所述窗口层中的本征非晶硅或者微晶硅薄膜位于所述n型晶体硅衬底与所述n型掺杂的非晶硅或者微晶硅薄膜之间；所述n型掺杂的非晶硅或者微晶硅薄膜中掺入有碳原子，形成非晶或者微晶硅碳薄膜；背场层，形成于所述n型晶体硅衬底的第二表面，其包括本征非晶硅或者微晶硅薄膜以及p型掺杂的非晶硅或者微晶硅薄膜，所述背场层的本征非晶硅或者微晶硅薄膜位于所述n型晶体硅衬底与所述p型掺杂的非晶硅或者微晶硅薄膜之间；所述窗口层和所述背场层中的本征非晶硅或者微晶硅中掺入有氧原子形成硅氧薄膜；第一透明导电薄膜，形成于所述窗口层表面；第二透明导电薄膜，形成于所述背场层表面；第一电极，制作于所述第一透明导电薄膜上；第二电极，制作于所述第二透明导电薄膜上。