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一种芯片降温装置
摘要文本
本发明提供了一种芯片降温装置,包括载板、支架、吸波结构和散热片,待散热的芯片位于载板上。支架安装在载板上,吸波结构放置于所述支架上,且位于芯片上方。所述吸波结构分为三层,从上到下分别是金属谐振单元、电介质层、金属薄膜;所述金属属薄膜的厚度大于电流密度从薄膜表面向内减小到表面电流密度为1/e的深度。所述散热片设置于吸波结构上。本发明结构简单,使用方便,安装灵活,一方面有效的简化了计算机散热装置的体积和结构,另一方面本发明是基于热辐射产生的原因出发进行设计,从原理上解决了热辐射的产生,使芯片散热更彻底。同时,本发明具有易制造、体积小、重量轻等优点。
申请人信息
- 申请人:成都信息工程大学
- 申请人地址:610225 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区学府路一段24号
- 发明人: 成都信息工程大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种芯片降温装置 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201711238370.9 |
| 申请日 | 2017年11月30日 |
| 公告号 | CN107993995B |
| 公开日 | 2024年1月30日 |
| IPC主分类号 | H01L23/373 |
| 权利人 | 成都信息工程大学 |
| 发明人 | 马长伟; 马文英; 汪为民 |
| 地址 | 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区学府路一段24号 |
专利主权项内容
1.一种芯片降温装置,其特征在于,包括载板、支架、吸波结构和散热片,待散热的芯片位于载板上;支架安装在载板上,吸波结构放置于所述支架上,且位于芯片上方;所述吸波结构分为三层,从上到下分别是金属薄膜、电介质层、金属谐振单元;所述金属薄膜的厚度大于电流密度从薄膜表面向内减小到表面电流密度为1/e的深度;所述散热片设置于吸波结构上;所述吸波结构由若干个吸波子单元组成,各个吸波子单元的电介质层、金属谐振单元互不接触;不同的吸波子单元有着不同的谐振频率;各个吸波子单元之间的间隔不小于金属谐振单元的宽度。 微信公众号马克数据网