一种基于晶体管堆叠技术的强抗失配高效功率放大器
摘要文本
本发明公开了一种基于晶体管堆叠技术的强抗失配高效功率放大器，包括‑45°移相输入匹配网络、+45°移相输入匹配网络、双路平衡型三堆叠功率放大网络、+45°移相输出匹配网络、‑45°移相输出匹配网络、第一供电偏置网络以及第二供电偏置网络。本发明采用三堆叠晶体管放大网络实现平衡型放大器的放大功能，提高了平衡型功率放大器的功率增益和功率容量，同时利用三级T型滤波型移相电路实现两路平衡信号的±45°移相控制以及输入和输出阻抗匹配，在保证低插损和高效率的前提下大大提升了放大器的抗失配特性，从而提高了电路的稳定性与可靠性。本发明所实现的强抗失配高效功率放大器芯片电路，输出功率高、功率增益高、面积小。 来自马-克-数-据
申请人信息
- 申请人:成都嘉纳海威科技有限责任公司
- 申请人地址:610016 四川省成都市双流区西南航空港经济开发区物联网产业园
- 发明人: 成都嘉纳海威科技有限责任公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种基于晶体管堆叠技术的强抗失配高效功率放大器 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201710936666.1 |
| 申请日 | 2017年10月10日 |
| 公告号 | CN107743021B |
| 公开日 | 2024年2月27日 |
| IPC主分类号 | H03F3/213 |
| 权利人 | 成都嘉纳海威科技有限责任公司 |
| 发明人 | 邬海峰; 滑育楠; 王测天; 陈依军; 廖学介; 吕继平; 胡柳林; 童伟; 吴曦; 杨云婷 |
| 地址 | 四川省成都市双流区西南航空港经济开发区物联网产业园 |
专利主权项内容
1.一种基于晶体管堆叠技术的强抗失配高效功率放大器，其特征在于，包括-45°移相输入匹配网络、+45°移相输入匹配网络、双路平衡型三堆叠功率放大网络、+45°移相输出匹配网络、-45°移相输出匹配网络、第一供电偏置网络以及第二供电偏置网络；所述-45°移相输入匹配网络的输入端与+45°移相输入匹配网络的输入端相连作为整个所述功率放大器的输入端；所述+45°移相输出匹配网络的输出端与-45°移相输出匹配网络的输出端相连作为整个所述功率放大器的输出端；所述双路平衡型三堆叠功率放大网络的第一输入端与-45°移相输入匹配网络的输出端连接，其第二输入端与+45°移相输入匹配网络的输出端连接，其第一输出端与+45°移相输出匹配网络的输入端连接，其第二输出端与-45°移相输出匹配网络的输入端连接；所述第一供电偏置网络分别与-45°移相输入匹配网络、双路平衡型三堆叠功率放大网络以及+45°移相输出匹配网络连接；所述第二供电偏置网络分别与+45°移相输入匹配网络、双路平衡型三堆叠功率放大网络以及-45°移相输出匹配网络连接；所述-45°移相输入匹配网络包括第一T型LC网络电路；所述第一T型LC网络电路的一端作为-45°移相输入匹配网络的输入端，其另一端串联第一RC稳定电路后作为-45°移相输入匹配网络的输出端；所述+45°移相输入匹配网络包括第二T型LC网络电路；所述第二T型LC网络电路的一端作为+45°移相输入匹配网络的输入端，其另一端串联第二RC稳定电路后作为+45°移相输入匹配网络的输出端；所述第一T型LC网络电路包括串联的电感L与L，以及并联在L与L连接节点上的接地电容C；所述第二T型LC网络电路包括串联的电容C与C，以及并联在C与C连接节点上的接地电感L；1212234343所述第一RC稳定电路和第二RC稳定电路结构相同；所述第一RC稳定电路包括并联的电阻R和电容C；所述第二RC稳定电路包括并联的电阻R和电容C；gsbugsbugsbwgsbw所述+45°移相输出匹配网络包括第三T型LC网络电路；所述第三T型LC网络电路的一端作为+45°移相输出匹配网络的输出端，另一端串联电感L后作为+45°移相输出匹配网络的输入端；所述第三T型LC网络电路与L的连接节点上还连接有接地电容C；445所述-45°移相输出匹配网络包括第四T型LC网络电路；所述第四T型LC网络电路的一端作为-45°移相输出匹配网络的输出端，另一端串联电感L后作为-45°移相输出匹配网络的输入端；所述第四T型LC网络电路与L的连接节点上还连接有接地电容C；8810所述第三T型LC网络电路包括串联的电容C与C，以及并联在C与C连接节点上的接地电感L；所述第四T型LC网络电路包括串联的电感L与L，以及并联在L与L连接节点上的接地电容C；6767567678所述双路平衡型三堆叠功率放大网络包括第一路三堆叠功率放大网络和第二路三堆叠功率放大网络，所述第一路三堆叠功率放大网络和第二路三堆叠功率放大网络结构相同，均包括一路或多路并联的堆叠结构，每路所述堆叠结构均包括一组依次按照源极-漏极相连堆叠构成的顶层晶体管、中间层晶体管以及底层晶体管；所述顶层晶体管、中间层晶体管以及底层晶体管的尺寸相同；所述第一路三堆叠功率放大网络中，每个顶层晶体管的漏极相连作为双路平衡型三堆叠功率放大网络的第一输出端；每个顶层晶体管的栅极分别连接第一供电偏置网络和一路补偿电路；每个中间层晶体管的栅极分别连接第一供电偏置网络和一路补偿电路；每个底层晶体管的源极均接地；每个底层晶体管的栅极相连作为双路平衡型三堆叠功率放大网络的第一输入端；所述第二路三堆叠功率放大网络中，每个顶层晶体管的漏极相连作为双路平衡型三堆叠功率放大网络的第二输出端；每个顶层晶体管的栅极分别连接第二供电偏置网络和一路补偿电路；每个中间层晶体管的栅极分别连接第二供电偏置网络和一路补偿电路；每个底层晶体管的源极均接地；每个底层晶体管的栅极相连作为双路平衡型三堆叠功率放大网络的第二输入端；所述补偿电路包括串联的栅极稳定电阻和栅极补偿电容，所述栅极补偿电容的另一端接地。