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一种改进封装结构的全石英晶体谐振器及其制备方法
摘要文本
本发明公开了一种改进封装结构的全石英晶体谐振器及其制备方法，包括石英晶片、封装盖和封装基座，所述石英晶片包括保护框，所述保护框的上表面设置有封装金属层A，所述封装金属层A在保护框下表面的投影外设置有封装金属层B，所述封装盖上正对所述封装金属层A的区域设置有封装金属层C，所述封装基座上正对所述封装金属层B的区域设置有封装金属层D；封装金属层A与封装金属层B在石英晶片上的投影互不重叠，可以有效的防止寄生电容的产生；利用金属代替玻璃焊料或者树脂焊料进行封装，可以提高产品的真空度。 关注公众号马 克 数 据 网
申请人信息
- 申请人:成都泰美克晶体技术有限公司
- 申请人地址:611731 四川省成都市高新区西部园区天映路103号
- 发明人: 成都泰美克晶体技术有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种改进封装结构的全石英晶体谐振器及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201711117829.X |
| 申请日 | 2017年11月13日 |
| 公告号 | CN107819450B |
| 公开日 | 2024年1月26日 |
| IPC主分类号 | H03H9/05 |
| 权利人 | 成都泰美克晶体技术有限公司 |
| 发明人 | 陆旺; 雷晗 |
| 地址 | 四川省成都市高新区西部园区天映路103号 |
专利主权项内容
1.一种改进封装结构的全石英晶体谐振器，包括石英晶片(2)、封装盖(1)和封装基座(3)，其特征在于，所述石英晶片(2)包括保护框(207)，所述保护框(207)的上表面设置有封装金属层A(201)，所述封装金属层A(201)在保护框(207)下表面的投影外设置有封装金属层B(202)，所述封装盖(1)上正对所述封装金属层A(201)的区域设置有封装金属层C(101)，所述封装基座(3)上正对所述封装金属层B(202)的区域设置有封装金属层D(301)。