晶体管结构、存储单元阵列及其制备方法

专利主权项内容

1.一种晶体管结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)提供一具有有源区的半导体衬底，并于所述有源区内形成沟槽结构，且所述有源区中形成有沟道区、浅结区及掺杂漏区，所述沟槽结构的底部位于所述沟道区中，所述掺杂漏区位于两个沟槽结构之间的所述沟道区的上表面，所述浅结区位于所述沟槽结构远离所述掺杂漏区一侧的所述沟道区的上表面且上表面与所述半导体衬底的上表面齐平；2)于所述沟槽结构的底部及侧壁形成介质层；3)于所述介质层的底部及局部侧壁形成字线表面层，并于所述字线表面层表面形成字线实体层，所述字线实体层包括结合于所述字线表面层表面的填充部及位于所述填充部顶上的凸起部，其中，所述字线表面层的顶端低于所述半导体衬底的上表面，所述凸起部的顶端高于所述字线表面层的顶端且低于所述半导体衬底的上表面，且所述凸起部的外侧壁与所述介质层之间形成侧沟；以及4)于所述沟槽结构内形成填孔绝缘层，所述填孔绝缘层的底部覆盖所述字线实体层的顶端以及所述侧沟的顶端，以将所述侧沟封闭形成空气腔，所述掺杂漏区的上表面与所述空气腔的上表面齐平。。详见官网：