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晶圆结构、晶圆结构切割方法及芯片

申请号: CN201710944935.9
申请人: 长鑫存储技术有限公司
申请日期: 2017年9月30日

摘要文本

本发明涉及一种晶圆结构、晶圆结构切割方法及芯片,晶圆结构包括晶圆本体,晶圆本体具有主动表面,芯片设置在晶圆本体中;主动表面包括第一周边区域,第一焊垫排列于每个芯片的安装面,第二焊垫排列于第一周边区域;每个芯片更具有一外凸结构,在外凸结构上的第二焊垫与相邻芯片的第一焊垫相邻近。切割方法包括规划切割路径,切割路径位于第一周边区域的第一间隙中;沿切割路径切割晶圆,获得芯片。芯片包括安装面以及外凸结构,外凸结构位于安装面具有第一焊垫位置处一侧,外凸结构上设置第二焊垫。本发明采用等离子切割,芯片间距减小,从而布置更多芯片,第一周边区域上的第二焊垫能够扩展相邻芯片的接口数量。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 晶圆结构、晶圆结构切割方法及芯片
专利类型 发明授权
申请号 CN201710944935.9
申请日 2017年9月30日
公告号 CN107680937B
公开日 2024年3月26日
IPC主分类号 H01L21/78
权利人 长鑫存储技术有限公司
发明人 请求不公布姓名; 请求不公布姓名
地址 安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号

专利主权项内容

1.一种晶圆结构,其特征在于,包括一晶圆本体,所述晶圆本体具有主动表面,多个芯片设置在所述晶圆本体中,所述主动表面包括所述芯片的多个安装面以及位于相邻所述芯片的所述安装面之间的第一周边区域,在所述晶圆本体的所述主动表面上设置有多个第一焊垫和第二焊垫,所述第一焊垫排列于每个所述芯片的所述安装面的中间位置,所述第二焊垫排列于所述第一周边区域;其中,每个所述芯片更具有一外凸结构,位于所述第一周边区域中,在所述外凸结构上的所述第二焊垫至少为一个,且所述第二焊垫与相邻所述芯片的所述第一焊垫相邻近;在所述晶圆本体的所述主动表面上还设置有至少一检测垫,排列于所述第一周边区域,同一第一周边区域中的各检测垫和各第二焊垫排布于同一直线上。 更多数据: