一种半导体存储器的阵列结构

专利主权项内容

1.一种半导体存储器的阵列结构，其特征在于，所述阵列结构具有纵向和横向两个互相垂直的方向，所述阵列结构包括：一半导体衬底，包含复数个阵列排布的有源区，每个所述有源区具有相同的外轮廓，奇数行的所述有源区以相对于所述横向的第一倾角等间距排布，并在所述纵向上依次对齐，偶数行的所述有源区以相对于所述横向的第二倾角等间距排布，并在所述纵向上依次对齐，所述有源区的行间距相等，相邻两行中的有源区的排列间距也相等，所述第一倾角与所述第二倾角相对于所述横向分别形成有顺逆时钟不同方向的锐角旋转角度；复数个字线，设置于所述半导体衬底中，所述字线具有平行于所述纵向的直线形，且所述字线沿所述横向等间距排列；及，复数个位线，设置于所述半导体衬底上，所述位线具有沿着所述横向延伸的波浪线形，且所述位线相互平行并沿所述纵向等间距排列；其中，依据所述字线的分隔，所述有源区分隔出位线接触区与节点接触区，所述位线与所述有源区的交汇处位于所述位线接触区上，由所述字线与所述位线构成多个平形四边形的棋盘区块，每一所述棋盘区块显露一个所述节点接触区。