← 返回列表
浅沟槽隔离结构及其制作方法
摘要文本
本发明提供一种浅沟槽隔离结构及其制作方法，包括：硅衬底、第一沟槽、第二沟槽、热氧化层、内衬层、填充层以及介质层，第一沟槽用以隔离PMOS晶体管，第二沟槽用以隔离NMOS晶体管，热氧化层形成于第一沟槽及第二沟槽的侧壁及底部，内衬层形成于第一沟槽的热氧化层的表面，且第一沟槽底部的内衬层被去除，以显露第一沟槽底部的热氧化层，填充层填充于第二沟槽内，介质层填充于第一沟槽中。本发明将浅沟槽隔离结构底部的内衬层去除，使得浅沟槽隔离结构底部不会有足够量的载流子聚集，避免晶体管衬底中的空穴聚集而导致的漏电。本发明可以减小PMOS晶体管之间的漏电流，并减小PMOS晶体管老化后维持电流的异常增加。
申请人信息
- 申请人:长鑫存储技术有限公司
- 申请人地址:230601 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
- 发明人: 长鑫存储技术有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 浅沟槽隔离结构及其制作方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201711189260.8 |
| 申请日 | 2017年11月24日 |
| 公告号 | CN107871706B |
| 公开日 | 2024年2月6日 |
| IPC主分类号 | H01L21/762 |
| 权利人 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 发明人 | 请求不公布姓名; 请求不公布姓名 |
| 地址 | 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室 |
专利主权项内容
1.一种浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：1)提供一硅衬底，于所述硅衬底中形成第一沟槽及第二沟槽，所述第一沟槽用以隔离PMOS晶体管，所述第二沟槽用以隔离NMOS晶体管，所述第一沟槽的宽度大于所述第二沟槽的宽度；2)于所述第一沟槽的侧壁及底部及第二沟槽的侧壁及底部形成热氧化层；3)于所述第一沟槽的热氧化层的表面形成内衬层，同时于所述第二沟槽内填充满与所述内衬层材料相同的填充层；4)采用干法刻蚀去除位于所述第一沟槽底部的内衬层，以显露所述第一沟槽底部的热氧化层，并在所述第二沟槽内所述填充层的顶部被刻蚀呈U形凹槽；以及5)于所述第一沟槽中沉积介质层并于所述U形凹槽中也填充所述介质层，并进行平坦化处理以形成浅沟槽隔离结构。