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硅基单片集成量子密钥分发发送方芯片
摘要文本
本发明公开了一种硅基单片集成量子密钥分发发送方芯片结构及其封装结构，芯片结构包括第一强度调制器、第二强度调制器、至少一个可调光衰减器、偏振调制器，第一强度调制器、第二强度调制器、至少一个可调光衰减器、偏振调制器首尾相连，信号光从第一强度调制器进入，偏振调制器的输出端作为芯片结构的输出端，所述第一强度调制器和第二强度调制器结构相同，包括第一光分束器、两路第一硅基移相器以及光合束器，第一光分束器通过两路第一硅基移相器分别连接到光合束器。本发明相比现有技术具有以下优点：本发明具有与CMOS工艺兼容、成本低、系统结构简单、集成度高、测试简单、易于封装等优点。
申请人信息
- 申请人:科大国盾量子技术股份有限公司
- 申请人地址:230000 安徽省合肥市高新区望江西路800号合肥创新产业园D3楼
- 发明人: 科大国盾量子技术股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 硅基单片集成量子密钥分发发送方芯片 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201711337223.7 |
| 申请日 | 2017年12月14日 |
| 公告号 | CN109962770B |
| 公开日 | 2024年3月12日 |
| IPC主分类号 | H04L9/08 |
| 权利人 | 科大国盾量子技术股份有限公司 |
| 发明人 | 龚攀; 刘建宏 |
| 地址 | 安徽省合肥市高新区望江西路800号合肥创新产业园D3楼 |
专利主权项内容
1.一种硅基单片集成量子密钥分发发送方芯片，其特征在于，包括第一强度调制器、第二强度调制器、偏振调制器、至少一个可调光衰减器，所述第一强度调制器、第二强度调制器、偏振调制器、至少一个可调光衰减器首尾相连，信号光从第一强度调制器进入，可调光衰减器的输出端作为芯片的输出端，所述第一强度调制器和第二强度调制器为马赫增德尔干涉仪结构，包括第一光分束器、两路第一硅基移相器以及光合束器，第一光分束器通过两路第一硅基移相器分别连接到光合束器；所述第一强度调制器、第二强度调制器、偏振调制器、可调光衰减器之间通过平面光波导建立光连接通道；所述偏振调制器包括第二光分束器、一路第二硅基移相器、偏振旋转合束器；所述第二光分束器一路通过第二硅基移相器连接到偏振旋转合束器，另一路直接连接到偏振旋转合束器；所述第二光分束器、第二硅基移相器、偏振旋转合束器之间的光路通过平面光波导形成光连接通道。。