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具有内置去极化装置的辐射检测器
摘要文本
辐射检测器(100)配置成吸收入射在所述辐射检测器(100)的半导体单晶(106，206A)上的辐射粒子，并在所述辐射检测器(100)的半导体单晶(106，206A)中产生正载流子和负载流子。所述半导体单晶(106，206A)可以是CdZnTe单晶或CdTe单晶。辐射检测器(100)包括与所述半导体单晶(106，206A)电接触的第一电触点(119A, 119B)，和围绕所述第一电触点(119A, 119B)或所述半导体单晶(106，206A)的第二电触点(119C, 119D)。该第一电触点(119A, 119B)配置成收集负载流子。该第二电触点(119C, 119D)配置成使所述正载流子漂移出所述半导体单晶(106，206A)。
申请人信息
- 申请人:深圳帧观德芯科技有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市南山区招商街道沿山社区南海大道1019号南山医疗器械产业园A、B座B507
- 发明人: 深圳帧观德芯科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 具有内置去极化装置的辐射检测器 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201780093162.6 |
| 申请日 | 2017年7月26日 |
| 公告号 | CN110914712B |
| 公开日 | 2024年1月12日 |
| IPC主分类号 | G01T1/16 |
| 权利人 | 深圳帧观德芯科技有限公司 |
| 发明人 | 曹培炎; 刘雨润 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区招商街道沿山社区南海大道1019号南山医疗器械产业园A、B座B507 |
专利主权项内容
1.一种辐射检测器，包括：本征半导体的基底；在所述基底的凹进部中的半导体单晶，所述半导体单晶具有与所述本征半导体不同的组成；第一电触点，该第一电触点与所述半导体单晶电接触；第二电触点，该第二电触点在所述基底上或所述基底中，并且围绕所述第一电触点或所述半导体单晶，其中，所述第二电触点与所述半导体单晶电隔离；其中，所述辐射检测器配置成吸收入射在所述半导体单晶上的辐射粒子并产生载流子。