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一种消影电压控制系统和方法

申请号: CN201711380225.4
申请人: 深圳市明微电子股份有限公司
申请日期: 2017年12月20日

摘要文本

本发明提供了一种消影电压控制系统,与寄生电容相连,包括充电模块、放电模块和电压检测模块,电压检测模块连接于充电模块和放电模块,其中,电压检测模块用于检测寄生电容的端口电压,根据寄生电容的端口电压控制充电模块对寄生电容进行充电或控制放电模块对寄生电容进行放电以使寄生电容的端口电压等于预设消影电压。本发明实现了不依赖于具体寄生电容大小来控制消影电压,不需要在不同显示屏中分别设置消影时间即可达到相同的特定消影电压,并且可以很好改善甚至消除消影电压一致性较差的情况。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种消影电压控制系统和方法
专利类型 发明授权
申请号 CN201711380225.4
申请日 2017年12月20日
公告号 CN107947569B
公开日 2024年2月6日
IPC主分类号 H02M3/07
权利人 深圳市明微电子股份有限公司
发明人 陈克勇; 符传汇; 李照华
地址 广东省深圳市南山区高新技术产业园南区高新南一道015号国微研发大楼三层

专利主权项内容

1.一种消影电压控制系统,与寄生电容相连,其特征在于,包括充电模块、放电模块和电压检测模块,所述电压检测模块连接于所述充电模块和所述放电模块,其中,所述电压检测模块用于检测所述寄生电容的端口电压,根据所述寄生电容的所述端口电压控制所述充电模块对所述寄生电容进行充电或控制所述放电模块对所述寄生电容进行放电以使所述寄生电容的所述端口电压等于预设消影电压;所述电压检测模块为施密特触发器,所述充电模块为PMOS管,所述放电模块为NMOS管,其中,所述PMOS管的源极接直流电源,所述PMOS管的栅级为所述充电模块的控制端,所述PMOS管的漏极接所述寄生电容的第一端,所述寄生电容的第二端接地;所述NMOS管的源极接所述寄生电容的第一端,所述NMOS管的栅级为所述放电模块的控制端,所述NMOS管的漏极接地;所述施密特触发器的第一端接所述寄生电容的第一端,所述施密特触发器的第二端为所述施密特触发器的控制端;如果所述预设消影电压大于阈值,则所述电压检测模块发送放电信号至所述放电模块,由所述放电模块对所述寄生电容进行放电;当所述电压检测模块检测到所述端口电压小于所述施密特触发器的下降翻转电压时,所述电压检测模块发送放电终止信号至所述放电模块,同时发送充电信号至所述充电模块,由所述充电模块对所述寄生电容进行充电;当所述电压检测模块检测到所述端口电压大于所述施密特触发器的上升翻转电压时,发送充电终止信号至所述充电模块;如果所述预设消影电压小于或等于阈值,则所述电压检测模块发送充电信号至所述充电模块,由所述充电模块对所述寄生电容进行充电;当所述电压检测模块检测到所述端口电压大于所述施密特触发器的上升翻转电压时,所述电压检测模块发送充电终止信号至所述充电模块,同时发送放电信号至所述放电模块,由所述放电模块对所述寄生电容进行放电;当所述电压检测模块检测到所述端口电压小于所述施密特触发器的下降翻转电压时,发送放电终止信号至所述放电模块。。数据由马 克 团 队整理