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一种硼氮共掺杂金刚石电极及其制备方法与应用

申请号: CN201711438893.8
申请人: 深圳先进技术研究院
申请日期: 2017年12月26日

摘要文本

本发明提供了一种硼氮共掺杂金刚石电极,包括基体,设于所述基体表面的硼氮共掺杂金刚石层,所述硼氮共掺杂金刚石层包括设置于所述基体表面的平整结构层和设置于所述平整结构层表面的阵列凸起结构。本发明提供的硼氮共掺杂金刚石电极,通过将硼氮共掺杂金刚石层的表层设置为阵列凸起结构,增加了硼氮共掺杂金刚石层的比表面积和活性位点,从而提升了电极电催化还原二氧化碳的能力,最终减少了二氧化碳在大气中积累,实现了废物资源化利用,具有很强的实用性。本发明还提供了硼氮共掺杂金刚石电极的制备方法,工艺简单,成本低廉,可制备出电催化还原二氧化碳性能优异的硼氮共掺杂金刚石电极,在较为恶劣的环境下的使用寿命较高。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种硼氮共掺杂金刚石电极及其制备方法与应用
专利类型 发明授权
申请号 CN201711438893.8
申请日 2017年12月26日
公告号 CN107964669B
公开日 2024年3月19日
IPC主分类号 C25B3/03
权利人 深圳先进技术研究院
发明人 杨扬; 唐永炳; 李子豪; 谷继腾; 张文军
地址 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号

专利主权项内容

1.一种硼氮共掺杂金刚石电极,其特征在于,所述硼氮共掺杂金刚石电极应用于电催化还原二氧化碳,所述硼氮共掺杂金刚石电极用于工作电极,铂为对电极,工作电压为-2.5V ~ -1.5V;所述硼氮共掺杂金刚石电极包括基体,设于所述基体表面的硼氮共掺杂金刚石层,所述硼氮共掺杂金刚石层包括设置于所述基体表面的平整结构层和设置于所述平整结构层表面的阵列凸起结构;所述阵列凸起的形状为棱柱、棱锥、或圆锥,所述阵列凸起的顶端曲率半径为1nm-10nm;所述平整结构层的厚度为100nm-5μm,所述阵列凸起的高度为50nm-100nm,所述阵列凸起的密度为10-10个/cm;89-2其中,采用电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积刻蚀法刻蚀所述硼氮共掺杂金刚石层,在所述刻蚀过程中,通入的气体包括氢气或氢气和氩气的混合气体,刻蚀气压为0.5-1.5Pa,刻蚀偏压为50-250V,刻蚀偏流为50-150mA,刻蚀时间为0.5-10h。 来自马-克-数-据