辐射检测器的制作方法

专利主权项内容

1.一种辐射检测器制作方法，包括：将凹陷部形成到衬底中；在所述凹陷部中形成半导体单晶；在所述半导体单晶的不与所述衬底直接接触的表面上形成第一电触点，其中，所述第一电触点包括离散区域；将所述衬底结合到另一衬底，在所述另一衬底中或上包括电子系统，其中所述电子系统被连接到所述半导体单晶的第一电触点并被配置成处理来自所述电触点的电信号；其中，在所述凹陷部中形成所述半导体单晶包括将半导体颗粒沉积到所述凹陷部中，通过熔化所述半导体颗粒而形成熔体，并且在所述凹陷部中重结晶所述熔体，其中，在所述凹陷部中重结晶所述熔体涉及以所述熔体重结晶为单晶的速率冷却所述熔体，并且通过将所述熔体从温度大于等于所述半导体颗粒的熔点区域移动到温度低于所述熔点的另一区域来冷却所述熔体，其中，所述辐射检测器具有与所述第一电触点的离散区域相关联的像素，并且所述电子系统被配置成基于对所述电信号的处理来确定与所述电触点相关联的像素是否停用。