一种钙钛矿光电晶体管及其制备方法
摘要文本
本发明实施例提供了一种钙钛矿光电晶体管及其制备方法，属于光探测领域。所述光电晶体管器件包括基础衬底，位于基础衬底上的漏源金属电极，金属氧化物半导体薄膜，所述金属氧化物半导体薄膜上覆盖有电荷传输界面层，所述电荷传输界面层上方有图形化的有机无机杂化钙钛矿材料层，所述电荷传输界面层至少将图形化的有机无机杂化钙钛矿材料层与源漏金属电极、金属氧化物薄膜分隔开，基础衬底上方设有一层钝化层，所述钝化层将器件全部覆盖。所述钙钛矿光电晶体管为底栅底接触结构，具有暗电流低、响应速度快、宽光谱响应的特性，与硅基光电探测器相比具有成本低廉，制备能耗低的特点，器件制备工艺与目前硅基工艺平台具有良好的兼容性。
申请人信息
- 申请人:北京大学深圳研究生院
- 申请人地址:518055 广东省深圳市南山区西丽镇丽水路深圳大学城北大校区
- 发明人: 北京大学深圳研究生院
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种钙钛矿光电晶体管及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201711372080.3 |
| 申请日 | 2017年12月19日 |
| 公告号 | CN108023019B |
| 公开日 | 2024年1月2日 |
| IPC主分类号 | H10K30/65 |
| 权利人 | 北京大学深圳研究生院 |
| 发明人 | 周航; 许晓特; 张盛东 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区西丽镇丽水路深圳大学城北大校区 |
专利主权项内容
1.一种钙钛矿光电晶体管，其特征在于，所述钙钛矿光电晶体管包括，基础衬底，位于基础衬底上的源漏金属电极(4)，金属氧化物半导体薄膜(5)，所述金属氧化物半导体薄膜(5)上覆盖有电荷传输界面层(6)，所述电荷传输界面层(6)上方有图形化的有机无机杂化钙钛矿材料层(7)，所述电荷传输界面层(6)至少将图形化的有机无机杂化钙钛矿材料层(7)与源漏金属电极(4)、金属氧化物半导体薄膜(5)分隔开，所述基础衬底的上方设有一层钝化层(8)，所述钝化层(8)将所述电荷传输界面层(6)、所述图形化的有机无机杂化钙钛矿材料层(7)全部覆盖；所述源漏金属电极(4)和金属氧化物半导体薄膜(5)在同一平面上：所述基础衬底上表面沉积有源漏金属电极(4)，所述金属氧化物半导体薄膜(5)覆盖在源漏金属电极(4)沟道处；或者所述金属氧化物半导体薄膜(5)将源漏金属电极(4)完全覆盖；所述电荷传输界面层(6)将所述基础衬底、源漏金属电极(4)和金属氧化物半导体薄膜(5)完全覆盖；所述电荷传输界面层(6)的材料包括：富勒烯C、富勒烯衍生物PCBM、富勒烯衍生物ICBA、富勒烯及其衍生物与聚甲基丙烯酸甲酯PMMA的共混体；60所述电荷传输界面层(6)的厚度为10 nm至50nm；所述图形化的有机无机杂化钙钛矿材料层(7)位于金属氧化物半导体薄膜(5)正上方，并且投影面积小于所述金属氧化物半导体薄膜(5)；所述图形化的有机无机杂化钙钛矿材料层(7)的材料的化学式为ABX，A包括CHNH、NHCHNH、CS、Rb，B包括Pb、Sn、Ge、Sr、Cu、Bi、Sb，X包括I、Cl或Br；333+22+++2+2+2+2+2+3+3+---所述图形化的有机无机杂化钙钛矿材料层(7)厚度20nm至2um；所述金属氧化物半导体薄膜(5)的材料包括：铟镓锌氧化物IGZO、铟锌锡氧化物IZTO、掺铝氧化锌AZO、锌锡氧化物ZTO、镁锌氧化物MZO；所述金属氧化物半导体薄膜(5)的厚度为10nm至100nm；所述钝化层(8)的材料包括：聚甲基丙烯酸甲酯PMMA、全氟树脂CYTOP、氧化硅SiO、氮化硅SiN和氧化铝AlO；xx23所述钝化层的厚度20nm至900nm。