基于电流复用技术的混频器
摘要文本
本发明涉及基于电流复用技术的混频器，包括跨导级电路、开关级电路和负载级电路；跨导级电路、开关级电路和负载级电路依次连接；跨导级电路采用电流复用结构和源简并电感结构；负载级电路跨导级电路用于接入射频电压信号，将射频电压信号转化为射频电流信号，对射频电流信号进行反复使用；开关级电路用于接入本振信号和射频电流信号，根据本振信号控制其设置的多个开关管轮流导通，利用多个开关管轮流导通对射频电流信号进行切换调制，生成中频电流信号传输至负载级电路；负载级电路用于将中频电流信号转换成电压信号进行输出。相对现有技术，本发明结构简单、转换增益高、线性度好、噪声低、功耗低、端口隔离度好。
申请人信息
- 申请人:广西师范大学
- 申请人地址:541004 广西壮族自治区桂林市七星区育才路15号
- 发明人: 广西师范大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 基于电流复用技术的混频器 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201711239354.1 |
| 申请日 | 2017年11月30日 |
| 公告号 | CN107834980B |
| 公开日 | 2024年2月13日 |
| IPC主分类号 | H03D7/14 |
| 权利人 | 广西师范大学 |
| 发明人 | 宋树祥; 李桂琴 |
| 地址 | 广西壮族自治区桂林市七星区育才路15号 |
专利主权项内容
1.基于电流复用技术的混频器，其特征在于：包括跨导级电路(1)、开关级电路(2)和负载级电路(3)；所述跨导级电路(1)、开关级电路(2)和负载级电路(3)依次连接；所述跨导级电路(1)采用电流复用结构和源简并电感结构；所述跨导级电路(1)用于接入射频电压信号，将射频电压信号转化为射频电流信号，对射频电流信号进行反复使用；所述开关级电路(2)用于接入本振信号和射频电流信号，根据本振信号控制其设置的多个开关管轮流导通，利用多个开关管轮流导通对射频电流信号进行切换调制，生成中频电流信号传输至负载级电路(3)；所述负载级电路(3)用于将中频电流信号转换成电压信号进行输出；所述跨导级电路(1)包括PMOS管M1、PMOS管M3，NMOS管M2、NMOS管M4，电容C1～电容C5和电感L1～电感L4；所述PMOS管M1的栅极与射频电压信号的正极端RF+连接，其源级与电源电压VDD连接；NMOS管M2的栅极与射频电压信号的正极端RF+连接，其漏极与PMOS管M1的漏极连接，其源级经电容C1与其栅极连接；所述电容C2的一端与NMOS管M2的漏极连接，另一端与NMOS管M2的源极连接；所述电感L2的一端与NMOS管M2的源极连接，另一端经电感L4接地；所述电容C5与电感L4并联；所述PMOS管M3的栅极与射频电压信号的负极端RF-连接，其源级与电源电压VDD连接；NMOS管M4的栅极与射频电压信号的正极端RF-连接，其漏极与PMOS管M3的漏极连接，其源级经电容C3与其栅极连接；所述电容C4的一端与NMOS管M4的漏极连接，另一端与NMOS管M4的源极连接；电感L3的一端与NMOS管M4的源极连接，另一端分别与电感L2、电感L4和电容C5的连接点连接；所述电感L1的一端与NMOS管M2的漏极连接，另一端NMOS管M4的漏极连接；所述开关级电路(2)包括NMOS管M5和NMOS管M8；所述负载级电路(3)包括电阻R1、电阻R2和电容C6；所述电阻R1的一端与NMOS管M5的漏极连接，另一端与电源电压VDD连接；所述电阻R2的一端与NMOS管M8的漏极连接，另一端与电源电压VDD连接；所述电容C6的一端与NMOS管M5的漏极连接，另一端与NMOS管M8的漏极连接。。微信公众号马克 数据网