中子捕获治疗系统

专利主权项内容

1.一种中子捕获治疗系统，其特征在于：所述中子捕获治疗系统包括用于产生带电粒子束的加速器、与带电粒子束发生反应产生中子射束的中子产生部以及射束整形体，所述射束整形体包括收容部、邻接于所述中子产生部的缓速体、包围在所述缓速体外的反射体、与所述缓速体邻接的热中子吸收体、设置在所述射束整形体内的辐射屏蔽和射束出口，所述收容部设有连接于加速器的真空管，所述中子产生部设于所述真空管的端部，所述真空管将经加速器加速后的带电粒子传输至所述中子产生部以使中子产生部与带电粒子束发生核反应以产生中子，所述中子形成中子射束，所述中子射束限定一根主轴，所述缓速体将自所述中子产生部产生的中子减速至超热中子能区，所述反射体将偏离的中子导回至所述缓速体以提高超热中子射束强度，所述辐射屏蔽用于屏蔽渗漏的中子和光子以减少非照射区的正常组织剂量，所述中子产生部在第一位置和第二位置之间运动，在第一位置，所述中子产生部能够与带电粒子束发生反应以产生中子，所述真空管至少包括连接于加速器的第一真空管部、收容于射束整形体收容部并容纳有中子产生部的第二真空管部以及连接第一真空管部和第二真空管部的第三真空管部，在第二位置，所述中子产生部能够与第二真空管部一同从收容部运动出而自射束整形体脱落，所述中子捕获治疗系统还包括屏蔽装置，所述屏蔽装置呈U型，所述屏蔽装置包括底壁以及连接于所述底壁且相对设置的两个侧壁，所述底壁和两个所述侧壁形成具有相对设置的第一开口、第二开口以及与所述底壁相对设置的第三开口，所述底壁和两个所述侧壁形呈U型结构，所述U型结构形成屏蔽空间，所述第一开口邻接于所述第一真空管部，所述第二开口邻接于所述第二真空管部，所述第三真空管部穿过所述第三开口，所述中子产生部与所述第二真空管部自所述射束整形体脱落后容置于所述屏蔽空间。