中子捕获治疗系统

专利主权项内容

1.一种中子捕获治疗系统，其特征在于：所述中子捕获治疗系统包括射束整形体、设置于射束整形体内的真空管，所述射束整形体包括射束入口、容纳所述真空管的容纳腔、邻接于所述容纳腔端部的缓速体、包围在所述缓速体外的反射体、设置在所述射束整形体内的辐射屏蔽和射束出口，所述真空管端部设有靶材，所述靶材与自所述射束入口入射的带电粒子束发生核反应以产生中子，所述中子形成中子射束，所述中子射束自射束出口射出并限定一根中子射束轴线，所述缓速体将自所述靶材产生的中子减速至超热中子能区，所述反射体将偏离的中子导回至所述缓速体以提高超热中子射束强度，所述辐射屏蔽用于屏蔽渗漏的中子和光子以减少非照射区的正常组织剂量，所述缓速体至少包括两个外直径不同的圆柱体状缓速体，所述缓速体具有靠近射束入口的第一端部和靠近射束出口的第二端部，所述靶材容纳在所述第一端部和所述第二端部之间；所述缓速体包括靠近射束入口的第一缓速体和与第一缓速体紧密贴合且靠近射束出口的第二缓速体，所述第一缓速体至少包括两个外直径不同的圆柱体状缓速体，所述射束入口、所述缓速体和所述射束出口均沿着所述中子射束轴线延伸，所述靶材到所述射束出口的距离小于所述第一端部到所述射束出口的距离；所述容纳腔是由所述反射体及部分所述缓速体围设而成的圆柱形腔。