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一种CMOS传感器封装结构及其封装方法

申请号: CN201711407829.3
申请人: 南京先锋材料科技有限公司
申请日期: 2017年12月22日

摘要文本

一种CMOS传感器封装结构及其封装方法,其主要涉及影像传感器技术领域。该CMOS传感器封装方法通过最先对CMOS影像感测器晶圆的影像感测区进行透光板的贴合,使得CMOS传感器的后续封装过程中无需高无尘度的制造环境,从而大大降低了封装过程中的设备及能耗成本;另外,通过上述CMOS传感器封装方法最终制得的超薄型CMOS传感器封装结构不但具有薄型化的结构特点,而且还具有良好的封装密封性和封装制造成本低的优点,故有利于企业降低成本、提高产能,实现利润的最大化。因此,将上述CMOS传感器封装结构及其封装方法应用于影像传感器技术领域具有重要的推广应用价值。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种CMOS传感器封装结构及其封装方法
专利类型 发明授权
申请号 CN201711407829.3
申请日 2017年12月22日
公告号 CN107958915B
公开日 2024年1月19日
IPC主分类号 H01L27/146
权利人 南京先锋材料科技有限公司
发明人 吴振兴; 林刘毓; 刘健群; 刘浩哲; 翁良志; 黃乾燿; 程子桓; 吴绍懋
地址 江苏省南京市雨花台区大周路32号D2北1822-685室

专利主权项内容

1.一种CMOS传感器封装方法,其特征在于,其包括:在CMOS影像感测器晶圆的影像感测区表面接合透光板,使所述透光板密封贴合于所述影像感测区表面,从而形成透光影像感测晶片;在所述CMOS影像感测器晶圆的与所述影像感测区表面相对的表面接合晶片载体,使所述晶片载体与所述透光影像感测晶片之间层密封贴合;在所述晶片载体与所述CMOS影像感测器晶圆之间进行电性连接;所述晶片载体与所述CMOS影像感测器晶圆之间的电性连接进行完后,形成第一封装结构,所述CMOS传感器封装方法还包括对所述第一封装结构进行塑封的塑封制程,所述塑封制程包括以下步骤:将所述晶片载体与载板背贴膜贴合,以使所述载板背贴膜与所述透光影像感测晶片分别位于所述晶片载体的相对两侧,所述载板背贴膜包括软性膜承载框和软性贴膜,所述软性贴膜的两个相对的表面分别粘贴合在所述晶片载体的表面和所述软性膜承载框的表面;将所述载板背贴膜与下模载体接合,以使所述下模载体与所述第一封装结构分别位于所述载板背贴膜的相对两侧,再将上模朝所述透光板表面正向压入到所述载板背贴膜中;控制所述上模的压入深度使所述上模穴面与所述透光板贴合,从而使所述上模的模穴与所述第一封装结构的裸露表面形成密封的塑封腔;向所述塑封腔中加入塑封剂,并使所述塑封剂充满所述塑封腔;待所述塑封剂固化后,依次进行脱模、切割和对所述载板背贴膜的去除。