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一种改善流场均匀性的装置
摘要文本
本发明具体涉及一种应用于CVD/CVI沉积炉中改善流场均匀性的装置，主要解决现有CVD/CVI沉积过程中流场不均匀的问题。该装置包括壳体、缓冲隔板、底层挡板、气体缓冲区和气体预热分配区；壳体包括外层筒体和进气盖板，进气盖板设置在外层筒体的顶部；缓冲隔板设置在外层筒体的腔体内，底层挡板设置在外层筒体的底部；缓冲隔板将进气盖板和底层挡板之间的腔体分为两个区域，分别为气体缓冲区和气体预热分配区，缓冲隔板上设有若干由中心向圆周方向呈放射状分布且孔径逐渐增大的气孔，底层挡板上设有若干由中心向圆周方向呈放射状分布且孔径不变的气孔；本发明能够很好地控制进入沉积炉反应区气体的流动状态和均匀性，对沉积效果有明显改善。
申请人信息
- 申请人:西安鑫垚陶瓷复合材料股份有限公司
- 申请人地址:710117 陕西省西安市高新区毕原一路西段912号
- 发明人: 西安鑫垚陶瓷复合材料股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种改善流场均匀性的装置 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201711132312.8 |
| 申请日 | 2017年11月15日 |
| 公告号 | CN107699866B |
| 公开日 | 2024年3月1日 |
| IPC主分类号 | C23C16/455 |
| 权利人 | 西安鑫垚陶瓷复合材料股份有限公司 |
| 发明人 | 张晰; 李建章; 王义洪; 王鹏; 姜伟光; 成来飞 |
| 地址 | 陕西省西安市高新区毕原一路西段912号 |
专利主权项内容
1.一种改善流场均匀性的装置，其特征在于：包括壳体(6)、缓冲隔板(2)、底层挡板(3)、气体缓冲区(4)和气体预热分配区(5)；所述壳体(6)包括外层筒体(62)和进气盖板(61)，所述进气盖板(61)设置在外层筒体(62)的顶部，且中心设置有进气孔；所述缓冲隔板(2)设置在外层筒体(62)的腔体内；所述底层挡板(3)设置在外层筒体(62)的底部；所述缓冲隔板(2)将进气盖板(61)和底层挡板(3)之间的腔体分为两个区域，缓冲隔板(2)和进气盖板(61)之间的腔体为气体缓冲区(4)，用于气体进入后进行缓冲；缓冲隔板(2)和底层挡板(3)之间的腔体为气体预热分配区(5)，用于为进入反应区的反应气体进行充分预热和混合；所述缓冲隔板(2)上设有若干由中心向圆周方向呈放射状分布且孔径逐渐增大的气孔，所述底层挡板(3)上设有若干由中心向圆周方向呈放射状分布且孔径不变的气孔(8)；所述缓冲隔板(2)的过流面积小于底层挡板(3)的过流面积。