提升平面IGBT良率的方法及制造其的中间产品

专利主权项内容

1.一种提升平面IGBT良率的方法，其特征在于，所述方法包括：对硅片上的多晶硅层进行掺杂；在经掺杂的所述多晶硅层的表面上生长第一薄氧化层；在所述对硅片上的多晶硅层进行掺杂的步骤之前，所述方法还包括：在所述硅片的表面上生长第二薄氧化层；在所述第二薄氧化层的表面上淀积所述多晶硅层；其中，所述硅片的两侧均分别依次设有：所述第二薄氧化层、所述多晶硅层和所述第一薄氧化层；所述在经掺杂的所述多晶硅层的表面上生长第一薄氧化层的步骤包括：在常压环境中生长所述第一薄氧化层；通过低温氧化的方式生长所述第一薄氧化层；在900-950℃的范围内生长所述第一薄氧化层；所述第一薄氧化层的厚度为150-250埃；在所述在经掺杂的所述多晶硅层的表面上生长第一薄氧化层的步骤之后，所述方法还包括：对所述硅片正面的所述第一薄氧化层、所述多晶硅层和所述第二薄氧化层进行光刻、刻蚀，之后对所述硅片正面进行离子注入、推结，以形成平面IGBT。