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IGBT驱动电路及芯片
摘要文本
本发明涉及集成电路领域，提供一种IGBT驱动电路及芯片。所述IGBT驱动电路包括死区产生模块、电平位移模块、延时电路模块、第一驱动管以及第二驱动管。死区产生模块用于基于输入信号生成非交叠的第一控制信号和第二控制信号；电平位移模块用于对第一控制信号进行电平位移处理生成高压域控制信号；延时电路模块用于对第二控制信号进行延时处理生成与所述高压域控制信号的延时相匹配的低压域控制信号；第一驱动管与第二驱动管在高压域控制信号以及低压域控制信号的作用下生成轨到轨输出的驱动信号。本发明可实现不同电压域的匹配，提高响应速度，且可实现良好的延时匹配特性，避免第一驱动管与第二驱动管直通，节省功耗。
申请人信息
- 申请人:北京芯可鉴科技有限公司; 北京智芯微电子科技有限公司
- 申请人地址:102200 北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层
- 发明人: 北京芯可鉴科技有限公司; 北京智芯微电子科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | IGBT驱动电路及芯片 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311220391.3 |
| 申请日 | 2023/9/20 |
| 公告号 | CN117498854A |
| 公开日 | 2024/2/2 |
| IPC主分类号 | H03K19/08 |
| 权利人 | 北京芯可鉴科技有限公司; 北京智芯微电子科技有限公司 |
| 发明人 | 刘芳; 邵亚利; 沈美根; 解尧明; 梁英宗; 池泊明; 李东镁 |
| 地址 | 北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层; 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼 |
专利主权项内容
1.一种IGBT驱动电路，其特征在于，包括：死区产生模块、电平位移模块、延时电路模块、第一驱动管以及第二驱动管，所述死区产生模块的输出端与所述电平位移模块的输入端以及所述延时电路模块的输入端相连，所述电平位移模块的输出端与所述第一驱动管的栅极相连，所述延时电路模块的输出端与所述第二驱动管的栅极相连，所述第一驱动管的漏极与所述第二驱动管的漏极相连；所述死区产生模块用于基于输入信号生成非交叠的第一控制信号和第二控制信号；所述电平位移模块用于对所述死区产生模块输出的第一控制信号进行电平位移处理，生成高压域控制信号；所述延时电路模块用于对所述死区产生模块输出的第二控制信号进行延时处理，生成与所述高压域控制信号的延时相匹配的低压域控制信号；所述第一驱动管与第二驱动管在高压域控制信号以及低压域控制信号的作用下，生成用于驱动IGBT的驱动信号。