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IGBT保护电路及芯片
摘要文本
本发明涉及集成电路领域，提供一种IGBT保护电路及芯片。IGBT保护电路包括开关管、第一驱动管及第二驱动管，第一驱动管的栅极连接第一输入信号，第二驱动管的栅极连接第二输入信号，第一驱动管的漏极与第二驱动管的漏极相连作为驱动信号输出点，用于输出驱动信号；开关管的栅极连接使能信号，开关管的漏极与第二驱动管的栅极相连，开关管的源极与驱动信号输出点相连，通过开关管在驱动信号输出点与第二驱动管的栅极之间形成通路。本发明利用开关管在驱动信号输出点与第二驱动管的栅极之间形成通路，该通路能够主动为第二驱动管的栅极充电，开启第二驱动管，防止IGBT误导通，提高响应速度；通过使能信号控制开关管的关断，节省功耗。 来源：专利查询网
申请人信息
- 申请人:北京芯可鉴科技有限公司; 北京智芯微电子科技有限公司
- 申请人地址:102200 北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层
- 发明人: 北京芯可鉴科技有限公司; 北京智芯微电子科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | IGBT保护电路及芯片 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311220532.1 |
| 申请日 | 2023/9/20 |
| 公告号 | CN117650779A |
| 公开日 | 2024/3/5 |
| IPC主分类号 | H03K19/08 |
| 权利人 | 北京芯可鉴科技有限公司; 北京智芯微电子科技有限公司 |
| 发明人 | 邵亚利; 刘芳; 解尧明; 梁英宗; 李东镁; 沈美根; 米朝勇 |
| 地址 | 北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层; 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼 |
专利主权项内容
1.一种IGBT保护电路，其特征在于，包括：开关管、第一驱动管以及第二驱动管；所述第一驱动管的栅极连接第一输入信号；所述第二驱动管的栅极连接第二输入信号；所述第一驱动管的漏极与所述第二驱动管的漏极相连，所述第一驱动管的漏极与所述第二驱动管的漏极相连的公共点作为驱动信号输出点，用于输出驱动IGBT的驱动信号；所述开关管的栅极连接使能信号，所述开关管的漏极与所述第二驱动管的栅极相连，所述开关管的源极与所述驱动信号输出点相连，通过所述开关管在所述驱动信号输出点与所述第二驱动管的栅极之间形成通路。