← 返回列表
己糖激酶2的抑制剂3-BP在创面修复中的应用
摘要文本
本发明属于生物医药领域，具体涉及己糖激酶2的抑制剂3‑BP在创面修复中的应用。具体地，本发明提供了己糖激酶2的抑制剂3‑BP在制备促进创面愈合、预防放射损伤的药物中的应用。通过抑制己糖激酶2可以达到减少细胞凋亡，加快促进电离辐射所导致的创面愈合速度的功能。 来源：百度马 克 数据网
申请人信息
- 申请人:中国人民解放军军事科学院军事医学研究院
- 申请人地址:100850 北京市海淀区太平路27号
- 发明人: 中国人民解放军军事科学院军事医学研究院
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 己糖激酶2的抑制剂3-BP在创面修复中的应用 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311518625.2 |
| 申请日 | 2023/11/15 |
| 公告号 | CN117503935A |
| 公开日 | 2024/2/6 |
| IPC主分类号 | A61K45/00 |
| 权利人 | 中国人民解放军军事科学院军事医学研究院 |
| 发明人 | 袁增强; 王树坤; 袁方; 弓玄伟; 王丽彬; 王景泽 |
| 地址 | 北京市海淀区太平路27号 |
专利主权项内容
1.己糖激酶2的抑制剂在制备促进创面愈合、预防放射损伤的药物中的应用；优选的，所述创面包括电离辐射导致的创面；优选的，所述放射损伤为电离辐射所致损伤；更优选的，皮肤损伤；优选的，所述电离辐射包括α射线、β射线、X射线和γ射线造成的辐射；优选的，所述电离辐射是Coγ射线造成的辐射；60优选的，所述电离辐射的强度是1-20Gy或5Gy-8 Gy；优选的，所述电离辐射的强度是5Gy、8Gy。