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离子阱芯片参数标定方法及装置、电子设备和介质
摘要文本
本公开提供了一种离子阱芯片参数标定方法、装置、电子设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品，涉及量子计算机领域，尤其涉及离子阱芯片技术领域。实现方案为：确定离子阱芯片中的一个或多个离子各自所在的位置；对于一个或多个离子中的每个离子，执行以下操作：通过激光器照射该离子，确定激光照射到该离子后的等效振幅；基于等效振幅，确定该离子对应的π脉冲时长；以及基于π脉冲时长设置激光器的脉冲时间，并在第一预设范围内按第一预设步长改变激光器的频率，以确定声子频率、以及所子和该离子之间的耦合强度。π脉冲时长表示该离子在基态和激发态之间变换所需的激光脉冲时间。 关注微信公众号专利查询网
申请人信息
- 申请人:北京百度网讯科技有限公司
- 申请人地址:100085 北京市海淀区上地十街10号百度大厦2层
- 发明人: 北京百度网讯科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 离子阱芯片参数标定方法及装置、电子设备和介质 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311443590.0 |
| 申请日 | 2023/11/1 |
| 公告号 | CN117494829A |
| 公开日 | 2024/2/2 |
| IPC主分类号 | G06N10/40 |
| 权利人 | 北京百度网讯科技有限公司 |
| 发明人 | 汪景波; 黄晨 |
| 地址 | 北京市海淀区上地十街10号百度大厦2层 |
专利主权项内容
1.一种离子阱芯片参数标定方法，包括：确定所述离子阱芯片中的一个或多个离子各自所在的位置；对于所述一个或多个离子中的每个离子，执行以下操作：通过激光器照射该离子，确定所述激光照射到该离子后的等效振幅；基于所述等效振幅，确定该离子对应的π脉冲时长，其中所述π脉冲时长表示该离子在基态和激发态之间变换所需的激光脉冲时间；以及基于所述π脉冲时长设置所述激光器的脉冲时间，并在第一预设范围内按第一预设步长改变所述激光器的频率，以确定声子频率、以及所述声子和该离子之间的耦合强度。 马 克 数 据 网