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体声波谐振器及其形成方法、滤波器
摘要文本
本发明实施例涉及一种体声波谐振器及其形成方法、滤波器，所述体声波谐振器包括：衬底；第一电极，位于所述衬底上；压电部，至少部分覆盖所述第一电极，所述压电部包括层叠设置的第一压电层和第二压电层，所述第一压电层靠近所述第一电极设置，其中，所述第一压电层的稀土元素掺杂原子比为N1，所述第二压电层的稀土元素掺杂原子比为N2，其中，N1<N2；第二电极，至少部分覆盖所述压电部。本发明实施例提供的体声波谐振器优化了压电层的性能。
申请人信息
- 申请人:北京芯溪半导体科技有限公司
- 申请人地址:100080 北京市海淀区西四环北路158号1幢十一层590号
- 发明人: 北京芯溪半导体科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 体声波谐振器及其形成方法、滤波器 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202310174409.4 |
| 申请日 | 2023/2/23 |
| 公告号 | CN117559939A |
| 公开日 | 2024/2/13 |
| IPC主分类号 | H03H9/02 |
| 权利人 | 北京芯溪半导体科技有限公司 |
| 发明人 | 万晨庚 |
| 地址 | 北京市海淀区西四环北路158号1幢十一层590号 |
专利主权项内容
1.一种体声波谐振器，其特征在于，包括：衬底；第一电极，位于所述衬底上方；压电部，至少部分覆盖所述第一电极，所述压电部包括层叠设置的第一压电层和第二压电层，所述第一压电层靠近所述第一电极设置，其中，所述第一压电层的稀土元素掺杂原子比为N1，所述第二压电层的稀土元素掺杂原子比为N2，其中，N1<N2；在所述第一压电层与所述第二压电层的交界处形成有第一过渡区，沿着由所述第一压电层指向所述第二压电层的方向，所述第一过渡区的稀土元素掺杂原子比由所述N1递增至所述N2，其中，所述第一过渡区的稀土元素掺杂原子比的变化率小于或等于5％/纳米且大于或等于0.01％/纳米；第二电极，至少部分覆盖所述压电部。