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一种高热导率3C-SiC多晶基板及其制备方法
摘要文本
本发明提供了一种高热导率3C‑SiC多晶基板及其制备方法，涉及半导体材料制备技术领域，所述高热导率3C‑SiC多晶基板的热导率为400‑450，晶型为100%的3C‑SiC，组织为多晶，晶粒为沿厚度方向的柱状晶，晶粒取向为(111)方向，通过化学气相沉积方法，在一定温度和压力下，在Si单晶基底上，且Si单晶基底的表面为完全正轴的Si(111)面，生长晶粒尺寸较大和取向一致的3C‑SiC多晶层，消除了晶界对沿厚度方向导热过程中晶格振动的散射作用，增加了沿厚度方向的热导率，使得基于3C‑SiC多晶基板的复合3C‑SiC基板具有优异的散热性能。。
申请人信息
- 申请人:北京青禾晶元半导体科技有限责任公司; 青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
- 申请人地址:100083 北京市海淀区花园北路25号小关(厂南区)4号楼1层146
- 发明人: 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司; 青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种高热导率3C-SiC多晶基板及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311734685.8 |
| 申请日 | 2023/12/18 |
| 公告号 | CN117438391B |
| 公开日 | 2024/3/15 |
| IPC主分类号 | H01L23/373 |
| 权利人 | 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司; 青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司 |
| 发明人 | 黄秀松; 郭超; 母凤文 |
| 地址 | 北京市海淀区花园北路25号小关(厂南区)4号楼1层146; 山西省晋城市晋城经济技术开发区金鼎路东、顺安街南创新创业产业园10号楼 |
专利主权项内容
1.一种高热导率3C-SiC多晶基板，其特征在于，所述高热导率3C-SiC多晶基板的热导率为400-450，晶型为100%的3C-SiC，组织为多晶，晶粒为沿厚度方向的柱状晶，晶粒取向为(111)方向；所述高热导率3C-SiC多晶基板采用如下制备方法得到，包括如下步骤：(1)采用化学气相沉积在Si单晶基底上生长3C-SiC多晶层，所述Si单晶基底的表面为完全正轴的Si(111)面，得到Si/3C-SiC复合体；所述化学气相沉积的生长温度为1200-1300℃，生长压力为2000-10000Pa；(2)对步骤(1)所述Si/3C-SiC复合体的侧面进行切割，并将其切割成圆形，得到3C-SiC/Si/3C-SiC复合体；(3)将步骤(2)所述3C-SiC/Si/3C-SiC复合体去除Si单晶基底，依次进行研磨与抛光，得到高热导率3C-SiC多晶基板。