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一种大单晶类球形α氧化铝及其制备方法
摘要文本
本发明属于无机非金属材料技术领域，具体涉及一种大单晶类球形α氧化铝及其制备方法，所述α氧化铝由含氧化铝原料、脱钠剂、诱导相变生长助剂和稳定剂采用三段升温保温策略煅烧而成；本发明制备的大单晶类球形α氧化铝的粒径D50≥25μm，比表面积小，吸油值低，且其粒度分布极窄，除单独使用制备高导热产品外，也可作为添加组分与其他导热填料复配，分散性及浸润性好，添加份数高，综合性能优越，可作为制备高导热界面材料的优质填料。本发明通过设置合理的升温温度、保温时间使得中间烧结后无需取出修饰，一步烧制即可制得高性能产品，简化了工艺流程，降低了生产成本，易于产业化。。 （更多数据，详见专利查询网）
申请人信息
- 申请人:泰安盛源粉体有限公司
- 申请人地址:271000 山东省泰安市泰山经济开发区科技中路87号
- 发明人: 泰安盛源粉体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种大单晶类球形α氧化铝及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311635048.5 |
| 申请日 | 2023/11/30 |
| 公告号 | CN117418312A |
| 公开日 | 2024/1/19 |
| IPC主分类号 | C30B29/20 |
| 权利人 | 泰安盛源粉体有限公司 |
| 发明人 | 王冠; 肖劲; 孟凡帅; 张丽艳; 仲奇凡; 王跃军; 白建奎; 袁丹阳; 马蓉蓉 |
| 地址 | 山东省泰安市泰山经济开发区科技中路87号 |
专利主权项内容
1.一种大单晶类球形α氧化铝，其特征在于，由含氧化铝原料、脱钠剂、诱导相变生长助剂和稳定剂煅烧而成，其中，含氧化铝原料包括氧化铝及氢氧化铝，氢氧化铝的用量为含氧化铝原料总质量的5％～10％；脱钠剂用量为含氧化铝原料总质量的0.1％～1％；诱导相变生长助剂用量为含氧化铝原料总质量的0.5％～2％；稳定剂用量为含氧化铝原料总质量的0.05％～0.1％。 来自马-克-数-据