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数模转换器
摘要文本
本发明公开了一种数模转换器。为平衡数模转换器精度和硅面积,本发明中的数模转换器包括NMOS开关和PMOS开关,其中NMOS开关的源极和衬底接地电平,栅极受控于第一NMOS开关栅极控制信号;PMOS开关的漏极连接参考电压,栅极受控于第一PMOS开关栅极控制信号;当PMOS开关导通时,PMOS开关的衬底连接参考电压;当PMOS开关关闭时,PMOS开关的衬底连接电源电压。本发明以动态控制PMOS开关衬底电压,以及动态控制第一NMOS开关栅极控制信号和第一PMOS开关栅极控制信号为技术手段,实现了NMOS开关和PMOS开关导通电阻之间的精准匹配,为宽供电电压范围的MCU设计DAC时更加容易实现开关面积和DAC精度的折中。
申请人信息
- 申请人:成都电科星拓科技有限公司
- 申请人地址:610095 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区府城大道西段399号7栋3单元14层1409号
- 发明人: 成都电科星拓科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 数模转换器 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410226359.4 |
| 申请日 | 2024/2/29 |
| 公告号 | CN117811584A |
| 公开日 | 2024/4/2 |
| IPC主分类号 | H03M1/78 |
| 权利人 | 成都电科星拓科技有限公司 |
| 发明人 | 魏建宁; 李蓝; 董超然 |
| 地址 | 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区府城大道西段399号 |
专利主权项内容
1.一种数模转换器,具有包括若干第一电阻和若干第二电阻的R-2R电阻网络结构、NMOS开关和PMOS开关,所述第二电阻的阻值是所述第一电阻的阻值的两倍,其特征在于:所述NMOS开关的漏极连接数模转换器中第二电阻的第一端,源极和衬底接地电平,栅极受控于第一NMOS开关栅极控制信号;所述PMOS开关的漏极连接参考电压,源极连接数模转换器中第二电阻的第一端,栅极受控于第一PMOS开关栅极控制信号;当所述PMOS开关导通时,PMOS开关的衬底连接参考电压;当所述PMOS开关关闭时,PMOS开关的衬底连接电源电压。