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一种声学压电结构、声学传感器和电子设备

申请号: CN202410175851.3
申请人: 成都纤声科技有限公司
申请日期: 2024/2/8

摘要文本

本申请提供一种声学压电结构、声学传感器和电子设备,涉及声学传感技术领域,多个压电膜层分别连接于支撑体,多个压电膜层沿压电膜层的厚度方向依次层叠,且相邻两个压电膜层沿压电膜层的厚度方向间隔排布,由此,使得多个压电膜层能够在纵向(也即压电膜层的厚度方向)分布,避免多个压电膜层占用较多的平面空间,有助于维持声学压电结构的微型化。在此基础上,相邻两个压电膜层的结构相同,从而使得相邻两个压电膜层的振动状态一致,与传统的单层膜的工作状态一致,如此,既可以避免相邻两个压电膜层在振动时产生相互干扰,同时,也可以提高声学压电结构的灵敏度,从而提升器件的声电转化率。 (来 自 马 克 数 据 网)

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种声学压电结构、声学传感器和电子设备
专利类型 发明申请
申请号 CN202410175851.3
申请日 2024/2/8
公告号 CN117729500A
公开日 2024/3/19
IPC主分类号 H04R17/00
权利人 成都纤声科技有限公司
发明人 王韬
地址 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区蜀锦路88号1栋2单元16层1601

专利主权项内容

1.一种声学压电结构,其特征在于,包括支撑体以及连接于所述支撑体的多个压电膜层,多个所述压电膜层沿所述压电膜层的厚度方向依次层叠,且相邻两个所述压电膜层沿所述压电膜层的厚度方向间隔排布,相邻两个所述压电膜层的结构相同。