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一种高性能MEMS温湿度传感器
摘要文本
本发明涉及温湿度传感器技术领域，提出了一种高性能MEMS温湿度传感器，包括：温度检测件、湿度检测件和信号处理模块。本发明通过设置包括至少一个窄电极检测电容和至少一个宽电极检测电容的半导体湿度检测结构，利用窄电极检测电容实现实时快速的湿度值检测与输出，再利用宽电极检测电容获得的精准度更高的湿度值对其进行校正，由此，获得兼顾响应速度和精准度的环境湿度值；同时，通过设置加热层对湿度检测电容层进行加热，一方面消除聚集水汽对温湿度传感器检测的影响，另一方面，提高了湿度检测上限值；提供了一种高检测精度、高反应速度、适应非理想环境以及湿度检测上限值更高的温湿度检测方案。
申请人信息
- 申请人:四川芯音科技有限公司
- 申请人地址:610000 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区天府三街218号2栋16层1618号
- 发明人: 四川芯音科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种高性能MEMS温湿度传感器 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410162782.2 |
| 申请日 | 2024/2/5 |
| 公告号 | CN117705199A |
| 公开日 | 2024/3/15 |
| IPC主分类号 | G01D21/02 |
| 权利人 | 四川芯音科技有限公司 |
| 发明人 | 王龙峰 |
| 地址 | 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区天府三街218号2栋16层1618号 |
专利主权项内容
1.一种高性能MEMS温湿度传感器，其特征在于，包括：温度检测件，所述温度检测件具有半导体温度检测结构，被配置为感知目标区域温度，输出所述目标区域温度对应的温度电压信号；湿度检测件，所述湿度检测件具有半导体湿度检测结构，所述半导体湿度检测结构包括至少一个窄电极检测电容和至少一个宽电极检测电容，被配置为感知目标区域湿度，输出所述目标区域湿度对应的窄电极湿度电容信号和宽电极湿度电容信号；信号处理模块，所述信号处理模块被配置为根据所述温度检测件输出的温度电压信号，生成目标区域的温度值，以及根据所述湿度检测件输出的所述宽电极湿度电容信号和所述窄电极湿度电容信号，生成目标区域的湿度值。