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一种高导热芳杂环聚合物基石墨膜及其制备方法
摘要文本
本发明属于导热石墨材料领域，具体涉及一种高导热芳杂环聚合物基石墨膜及其制备方法。本发明提供一种高导热芳杂环聚合物基石墨膜, 所述石墨膜是先将改性聚芳噁二唑制得基膜，再通过碳化和石墨化处理制得；所述改性聚芳噁二唑的结构式如下, 其中，x：y：z=(0.95～0.55)：(0.05～0.45)：(0.01～0.10)。本发明所得高导热芳杂环聚合物基石墨膜的厚度为20‑200μm，密度为1.85‑2.2g•cm‑3，导热系数为1400‑1800W/(mK)。 马 克 数 据 网
申请人信息
- 申请人:四川大学
- 申请人地址:610065 四川省成都市一环路南一段24号
- 发明人: 四川大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种高导热芳杂环聚合物基石墨膜及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410127138.1 |
| 申请日 | 2024/1/30 |
| 公告号 | CN117645296A |
| 公开日 | 2024/3/5 |
| IPC主分类号 | C01B32/205 |
| 权利人 | 四川大学 |
| 发明人 | 陈枫; 程好; 傅强 |
| 地址 | 四川省成都市武侯区一环路南一段24号 |
专利主权项内容
1.一种高导热芳杂环聚合物基石墨膜，其特征在于，所述石墨膜是先将改性聚芳噁二唑制得基膜，再通过碳化和石墨化处理制得；所述改性聚芳噁二唑的结构式如下：
；其中，x：y：z=(0.95～0.55)：(0.05～0.45)：(0.01～0.10)。