一种基于N沟道MOS管的正线冲击电流抑制电路
摘要文本
本发明公开一种基于N沟道MOS管的正线冲击电流抑制电路，涉及供电技术领域，包括功率电阻、NMOS管、输入滤波电容、基准稳压源、延时充电电路、升压电路、分压反馈电路、升压输出滤波电容、浮地电阻以及输出滤波电容；基准稳压源采用稳压管；延时充电电路包括电阻和电容；升压电路包括电感、二极管和升压控制芯片；分压反馈电路包括两个电阻。本发明可精确抑制开机冲击电流峰值，开机后通过功率电阻对线间电容进行充电，可有效抑制开机瞬间的母线冲击电流；通过延时充电驱动置于正线的NMOS管导通，导通后将充电功率电阻旁路，能够有效降低正常工作时的功率损耗，尤其适宜用于大电流场景。本发明还可扩展为带防反接保护功能。。该数据由<马克数据网>整理
申请人信息
- 申请人:成都新欣神风电子科技有限公司
- 申请人地址:610000 四川省成都市成都高新区天勤东街58号
- 发明人: 成都新欣神风电子科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种基于N沟道MOS管的正线冲击电流抑制电路 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410138099.5 |
| 申请日 | 2024/2/1 |
| 公告号 | CN117691847A |
| 公开日 | 2024/3/12 |
| IPC主分类号 | H02M1/32 |
| 权利人 | 成都新欣神风电子科技有限公司 |
| 发明人 | 王威; 彭亭; 刘强; 熊亚丽 |
| 地址 | 四川省成都市成都高新区天勤东街58号 |
专利主权项内容
1.一种基于N沟道MOS管的正线冲击电流抑制电路，其特征在于，包括：功率电阻R1、NMOS管Q1、输入滤波电容C1、基准稳压源、延时充电电路、升压电路、分压反馈电路、升压输出滤波电容C4、浮地电阻R5以及输出滤波电容C5；所述基准稳压源采用稳压管D2；所述延时充电电路包括电阻R3和电容C3；所述升压电路包括电感L1、二极管D3以及升压控制芯片U1；所述分压反馈电路包括电阻R7和电阻R6；所述NMOS管Q1的漏极以及所述功率电阻R1的一端均连接直流输入电源正线VIN+；所述NMOS管Q1的源极分别连接所述功率电阻R1的另一端、所述输入滤波电容C1的一端、所述稳压管D2的负极、所述电阻R3的一端、所述电感L1的一端以及所述输出滤波电容C5的一端；所述升压控制芯片U1的使能端EN分别连接所述电阻R3的另一端以及所述电容C3的一端；所述升压控制芯片U1的SW端子分别连接所述电感L1的另一端以及所述二极管D3的正极；所述二极管D3的负极分别连接所述电阻R7的一端、所述升压输出滤波电容C4的一端以及所述NMOS管Q1的栅极；所述升压控制芯片U1的FB端子分别连接所述电阻R7的另一端以及所述电阻R6的一端；所述稳压管D2的正极、所述电容C3的另一端、所述升压控制芯片U1的GND端子、所述电阻R6的另一端以及所述升压输出滤波电容C4的另一端均连接所述浮地电阻R5的一端；所述浮地电阻R5的另一端分别连接所述输入滤波电容C1的另一端以及所述输出滤波电容C5的另一端。。数据由马 克 数 据整理