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一种毫米波TR组件、吸波材料切割装置及方法

申请号: CN202410021225.9
申请人: 成都恪赛科技有限公司
申请日期: 2024/1/8

摘要文本

(来 自 马 克 数 据 网) 本发明公开了一种毫米波TR组件、吸波材料切割装置及方法,属于有源微波技术领域。所述毫米波TR组件,包括腔体结构,所述腔体结构内安装有台阶槽印制板,所述台阶槽印制板内安装有裸芯片屏蔽结构,所述台阶槽印制板上安装有盖板结构,所述盖板结构上安装有环形封焊结构,所述环形封焊结构安装上有圆形封焊结构,所述盖板结构上安装有弹性SSMP连接器,所述毫米波TR组件为气密封设计,所述裸芯片屏蔽结构能够避免芯片集成出现自激和谐振,所述腔体结构背面为散热区域。解决了芯片屏蔽问题,提高了通道之间的隔离度,解决了大规模瓦式TR组件无法密封的问题,节约了密封成本,还简化了生产工艺,缩短了生产周期。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种毫米波TR组件、吸波材料切割装置及方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202410021225.9
申请日 2024/1/8
公告号 CN117543225A
公开日 2024/2/9
IPC主分类号 H01Q21/00
权利人 成都恪赛科技有限公司
发明人 李松
地址 四川省成都市高新区天虹路3号B幢4层

专利主权项内容

1.一种毫米波TR组件,其特征在于:包括腔体结构(1),所述腔体结构(1)内安装有台阶槽印制板(2),所述台阶槽印制板(2)内安装有裸芯片(12)屏蔽结构,所述台阶槽印制板(2)上安装有盖板结构(3),所述盖板结构(3)上安装有环形封焊结构(4),所述环形封焊结构(4)安装上有圆形封焊结构(5),所述盖板结构(3)上安装有弹性SSMP连接器(6),所述毫米波TR组件为气密封TR组件,所述裸芯片(12)屏蔽结构能够避免芯片集成出现自激和谐振,所述腔体结构(1)背面为散热区域。