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一种基于砷化镓、氮化镓和金刚石3D封装芯片及封装方法
摘要文本
本发明属于封装芯片技术领域，特别涉及一种基于砷化镓、氮化镓和金刚石3D封装芯片及封装方法，包括具有印制电路板的承载组件、具有3D垂直堆叠的HBM组件和具有活动卡接式密封组件，所述承载组件与密封组件均为开放式结构，且所述承载组件与密封组件为拼接而成的矩形结构，所述HBM组件设置在承载组件的内壁，所述HBM组件的顶部设置有CPU，且所述CPU与HBM组件均与承载组件电性连接；通过金刚石夹层机构将第一芯片单层和第三芯片单层上的焊锡球在悬浮空间内热熔焊接，通过金刚石夹层机构使热熔焊接后的焊锡球处于通风的状态，通过密封组件与承载组件的活动卡接，使3D热熔焊接后的芯片处于密封状态，提高了芯片堆叠后连接处导热的效果。
申请人信息
- 申请人:成都汉芯国科集成技术有限公司
- 申请人地址:610000 四川省成都市高新区(西区)合作路89号
- 发明人: 成都汉芯国科集成技术有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种基于砷化镓、氮化镓和金刚石3D封装芯片及封装方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410184385.5 |
| 申请日 | 2024/2/19 |
| 公告号 | CN117747560A |
| 公开日 | 2024/3/22 |
| IPC主分类号 | H01L23/31 |
| 权利人 | 成都汉芯国科集成技术有限公司 |
| 发明人 | 刘松林; 刘召满; 赖仕普 |
| 地址 | 四川省成都市高新区(西区)合作路89号 |
专利主权项内容
1.一种基于砷化镓、氮化镓和金刚石3D封装芯片，其特征在于：包括具有印制电路板的承载组件(1)、具有3D垂直堆叠的HBM组件(2)和具有活动卡接式密封组件(4)；所述承载组件(1)与密封组件(4)均为开放式结构，且所述承载组件(1)与密封组件(4)为拼接而成的矩形结构，所述HBM组件(2)设置在承载组件(1)的内壁，所述HBM组件(2)的顶部设置有CPU(3)，且所述CPU(3)与HBM组件(2)均与承载组件(1)电性连接；所述HBM组件(2)包括金刚石夹层机构(21)；所述金刚石夹层机构(21)的底部设置有第一芯片单层(22)，且所述第一芯片单层(22)的底部设置有第二芯片单层(23)，所述金刚石夹层机构(21)的顶部设置有第三芯片单层(24)，且所述第三芯片单层(24)的顶部设置有第四芯片单层(25)。