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一种高压正线冲击电流抑制电路
摘要文本
本发明公开了一种高压正线冲击电流抑制电路，涉及电路设计技术领域。包括：第一NMOS管、功率电阻、EMI滤波电路、隔离型高压DC‑DC变换器以及输出电容；其中，隔离型高压DC‑DC变换器的第一端子分别与输出电容的一端以及第一NMOS管的栅极连接；隔离型高压DC‑DC变换器的第二端子分别与输出电容的另一端以及第一NMOS管的源极连接；隔离型高压DC‑DC变换器的第三端子和使能端均与输出电源正线连接；隔离型高压DC‑DC变换器的第四端子与输出电源负线连接。本发明提供的高压正线冲击电流抑制电路能够有效抑制高压正线上的冲击电流并降低损耗。 该数据由<马克数据网>整理
申请人信息
- 申请人:成都新欣神风电子科技有限公司
- 申请人地址:610000 四川省成都市成都高新区天勤东街58号
- 发明人: 成都新欣神风电子科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种高压正线冲击电流抑制电路 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410161584.4 |
| 申请日 | 2024/2/5 |
| 公告号 | CN117713524A |
| 公开日 | 2024/3/15 |
| IPC主分类号 | H02M1/32 |
| 权利人 | 成都新欣神风电子科技有限公司 |
| 发明人 | 王威; 熊亚丽; 彭亭; 刘强 |
| 地址 | 四川省成都市成都高新区天勤东街58号 |
专利主权项内容
1.一种高压正线冲击电流抑制电路，其特征在于，包括：第一NMOS管、功率电阻、EMI滤波电路、隔离型高压DC-DC变换器以及输出电容；所述第一NMOS管与所述功率电阻并联后置于输入电源正线上；所述第一NMOS管的漏极与所述输入电源正线连接；所述第一NMOS管的源极与所述EMI滤波电路的第一引脚连接；所述EMI滤波电路的第二引脚与输入电源负线连接；所述EMI滤波电路的第三引脚与输出电源正线连接；所述EMI滤波电路的第四引脚与输出电源负线连接；所述隔离型高压DC-DC变换器的第一端子分别与所述输出电容的一端以及所述第一NMOS管的栅极连接；所述隔离型高压DC-DC变换器的第二端子分别与所述输出电容的另一端以及所述第一NMOS管的源极连接；所述隔离型高压DC-DC变换器的第三端子和使能端均与输出电源正线连接；所述隔离型高压DC-DC变换器的第四端子与输出电源负线连接。