一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件
摘要文本
本发明涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件。该太阳电池的制备方法包括以下步骤：在硅基底的受光面上制备背离硅基底依次层叠的第一介质层、第一非晶硅层以及第一掩膜层；去除第一区域范围之外的第一掩膜层、第一非晶硅层和第一介质层；在硅基底的背光面制备背离硅基底依次层叠的第二介质层、第二非晶硅层以及第二掩膜层；对受光面进行单面刻蚀，以去除硅基底的受光面及边缘上的第二掩膜层的绕镀层，在第二掩膜层的绕镀层被去除后，第一掩膜层被完全刻蚀前停止刻蚀；其中，背光面上的第二掩膜层和部分厚度的第一掩膜层被保留。后续去绕镀刻蚀时第一掩膜层保护了第一区域上的局部钝化接触结构。 （macrodatas.cn）
申请人信息
- 申请人:通威太阳能(眉山)有限公司
- 申请人地址:620038 四川省眉山市东坡区修文镇进修路8号附1号
- 发明人: 通威太阳能(眉山)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410137405.3 |
| 申请日 | 2024/2/1 |
| 公告号 | CN117691000A |
| 公开日 | 2024/3/12 |
| IPC主分类号 | H01L31/18 |
| 权利人 | 通威太阳能(眉山)有限公司 |
| 发明人 | 何宇; 蔡晓玲 |
| 地址 | 四川省眉山市东坡区修文镇进修路8号附1号 |
专利主权项内容
1.一种太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在硅基底的受光面上制备背离所述硅基底依次层叠的第一介质层、第一非晶硅层以及第一掩膜层；其中，所述硅基底和所述第一非晶硅层均具有第一导电类型，所述受光面具有用于制作受光面电极的第一区域；去除所述第一区域范围之外的所述第一掩膜层、所述第一非晶硅层和所述第一介质层；在所述硅基底的背光面制备背离所述硅基底依次层叠的第二介质层、第二非晶硅层以及第二掩膜层；其中，所述第二非晶硅层具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；退火以使所述第一非晶硅层以及所述第二非晶硅层晶化后分别形成第一掺杂多晶硅层和第二掺杂多晶硅层；对所述受光面进行单面刻蚀，以去除所述硅基底的所述受光面及边缘上的所述第二掩膜层的绕镀层，在所述第二掩膜层的绕镀层被去除后，所述第一掩膜层被完全刻蚀前停止刻蚀；其中，所述背光面上的第二掩膜层和部分厚度的所述第一掩膜层被保留；对所述第二掩膜层和所述第一掩膜层覆盖区域之外的区域进行刻蚀，以去除所述硅基底的受光面及边缘上的所述第二掺杂多晶硅层和所述第二介质层的绕镀层；去除剩余的所述第一掩膜层以及所述第二掩膜层。