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一种存储器及其参数调整方法

申请号: CN202410205089.9
申请人: 合肥康芯威存储技术有限公司
申请日期: 2024/2/26

摘要文本

本发明提供了一种存储器及其参数调整方法,存储器包括:闪存,其包括多个平面,平面包括多块存储块;寄存器,用以存储第一时钟调整值、第二时钟调整值以及第三时钟调整值;以及主控器,其用以获取主机数据、第一时钟调整值以及第二时钟调整值,主控器内设有缓冲区;主控器用以在第一高频状态下,获取符合要求的目标时钟调整值,在第二高频状态下,符合要求的目标脉冲调整值;将第一时钟调整值、第二时钟调整值、目标时钟调整值和目标脉冲调整值保存于缓冲区中。通过本发明提供的一种存储器及其参数调整方法,能够便于将存储器的参数调整为最佳值。 关注微信公众号马克数据网

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种存储器及其参数调整方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202410205089.9
申请日 2024/2/26
公告号 CN117785069A
公开日 2024/3/29
IPC主分类号 G06F3/06
权利人 合肥康芯威存储技术有限公司
发明人 蔡孟翔; 李钢
地址 安徽省合肥市经济技术开发区宿松路3963号智能装备科技园D3栋5层

专利主权项内容

1.一种存储器,其特征在于,包括:闪存,其包括多个平面,所述平面包括多块存储块;寄存器,用以存储第一时钟调整值、第二时钟调整值以及第三时钟调整值;以及主控器,其用以获取主机数据、第一时钟调整值以及第二时钟调整值,所述主控器内设有缓冲区;其中,所述主控器用以在低频状态下,分别以第一写入方式、第二写入方式向缓冲区的映射位置写入主机数据,获取符合要求的第三时钟调整值的均值,并剔除第三时钟调整值,所述第一写入方式表示写入过程中不进行循环冗余校验,所述第二写入方式表示写入过程中进行循环冗余校验;所述主控器还用以在第一高频状态下,分别以第一写入方式、第二写入方式向映射位置写入主机数据,获取符合要求的第三时钟调整值的均值,表示为目标时钟调整值,并剔除第三时钟调整值;所述主控器还用以在第二高频状态下,分别以第一写入方式、第二写入方式向映射位置写入主机数据,获取符合要求的第三时钟调整值,并对多个符合要求的第三时钟调整值进行排序,获取最小的第三时钟调整值,表示为目标脉冲调整值;所述主控器还用以将第一时钟调整值、第二时钟调整值、目标时钟调整值和目标脉冲调整值保存于缓冲区中。。 (更多数据,详见马克数据网)