一种半导体器件及其制备方法

专利主权项内容

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有高k栅介质层、功函数调节层、保护层、伪栅极层、氮化硅层、氧化硅层和图形化的图形转移结构层；以图形化的图形转移结构层为掩膜，依次刻蚀所述氧化硅层、氮化硅层、伪栅极层、保护层、功函数调节层和高k栅介质层，以暴露出所述半导体衬底，并形成第一凹槽和伪栅极，再去除所述图形转移结构层；在所述第一凹槽中填充层间介质层，所述层间介质层覆盖所述氧化硅层；平坦化处理所述层间介质层直至暴露出所述伪栅极；采用多晶硅对氮化硅层及氧化硅层高刻蚀选择比刻蚀气体，通过干法刻蚀工艺去除所述伪栅极，并形成第二凹槽，所述第二凹槽的槽底暴露出所述保护层；通过湿法刻蚀工艺去除所述保护层。