半导体器件的制作方法以及半导体器件

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本申请提供了一种半导体器件的制作方法以及半导体器件。该方法包括：首先，提供基底，基底包括衬底以及衬底表面上间隔设置的多个栅极结构；然后，在栅极结构的远离衬底的部分表面上形成牺牲层，且在衬底的靠近栅极结构的部分表面上形成牺牲层；最后，在栅极结构以及衬底的裸露表面上形成阻挡层，并去除所有的牺牲层。通过在栅极结构的远离衬底的部分表面上形成牺牲层，保证了在部分栅极结构之间的衬底上没有阻挡层，避免了现有技术中部分栅极结构之间的衬底表面上的阻挡层漏电，从而导致半导体器件产生失效的问题，保证了半导体器件的失效概率较小，保证了半导体器件的鲁棒性较好，从而保证了半导体器件的性能较好。