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半导体结构及其制备方法
摘要文本
本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括中压晶体管以及低压晶体管，中压晶体管包括位于衬底上的中压有源层，以及位于中压有源层两侧的中压侧墙结构；中压侧墙结构包括沿远离中压有源层依次层叠的第一子中压侧墙、第二子中压侧墙、第三子中压侧墙以及第四子中压侧墙；低压晶体管包括位于衬底上的低压有源层，以及位于低压有源层两侧的低压侧墙结构；低压侧墙结构包括沿远离低压有源层依次层叠的第一子低压侧墙、第二子低压侧墙以及第三子低压侧墙；其中，沿第一方向相邻的中压晶体管之间的距离大于沿第一方向相邻的低压晶体管之间的距离。能够实现在中压晶体管有较快响应速度的同时，低压晶体管有较低的功耗和稳定性。 （来自 马克数据网）
申请人信息
- 申请人:合肥晶合集成电路股份有限公司
- 申请人地址:230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 发明人: 合肥晶合集成电路股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体结构及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410154885.4 |
| 申请日 | 2024/2/4 |
| 公告号 | CN117690927A |
| 公开日 | 2024/3/12 |
| IPC主分类号 | H01L27/088 |
| 权利人 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 发明人 | 齐栋洋; 张静; 冯登堂 |
| 地址 | 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号 |
专利主权项内容
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：中压晶体管，所述中压晶体管包括位于衬底上的中压有源层，以及位于所述中压有源层两侧的中压侧墙结构；所述中压侧墙结构包括沿远离所述中压有源层依次层叠的第一子中压侧墙、第二子中压侧墙、第三子中压侧墙以及第四子中压侧墙；低压晶体管，所述低压晶体管包括位于衬底上的低压有源层，以及位于所述低压有源层两侧的低压侧墙结构；所述低压侧墙结构包括沿远离所述低压有源层依次层叠的第一子低压侧墙、第二子低压侧墙以及第三子低压侧墙；其中，沿第一方向相邻的所述中压晶体管之间的距离大于沿所述第一方向相邻的所述低压晶体管之间的距离。