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一种图像传感器及其制作方法

申请号: CN202410078072.1
申请人: 合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日期: 2024/1/19

摘要文本

本发明公开了一种图像传感器及其制作方法,属于半导体技术领域,所述图像传感器包括:衬底,具有相对的第一表面和第二表面;浅沟槽隔离结构,由所述第二表面延伸至所述衬底内;隔离层,设置在所述衬底内,所述隔离层与所述浅沟槽隔离结构在衬底内的一端接触;隔离掺杂区,由所述第一表面延伸至所述隔离层上,所述隔离掺杂区通过所述衬底进行掺杂和刻蚀获得;多个光电感应区,设置在所述隔离掺杂区之间,且所述光电感应区的底部与所述衬底接触;以及格栅结构,设置在所述隔离掺杂区上。通过本发明提供的一种图像传感器及其制作方法,简化制作流程,并提高图像传感器的良率和质量。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种图像传感器及其制作方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202410078072.1
申请日 2024/1/19
公告号 CN117594624A
公开日 2024/2/23
IPC主分类号 H01L27/146
权利人 合肥晶合集成电路股份有限公司
发明人 陈维邦
地址 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号

专利主权项内容

1.一种图像传感器,其特征在于,至少包括:衬底,具有相对的第一表面和第二表面;浅沟槽隔离结构,由所述第二表面延伸至所述衬底内;隔离层,设置在所述衬底内,所述隔离层与所述浅沟槽隔离结构在衬底内的一端接触;隔离掺杂区,由所述第一表面延伸至所述隔离层上,所述隔离掺杂区通过所述衬底进行掺杂和刻蚀获得;多个光电感应区,设置在所述隔离掺杂区之间,且所述光电感应区的底部与所述衬底接触;以及格栅结构,设置在所述隔离掺杂区上。