半导体结构及其制备方法

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本发明提供了一种半导体结构及其制备方法。而在本发明所提供的制备方法中，其可以先对凹槽进行修复处理可以将凹槽的凹凸不平的内侧表面平整化，以避免由于凹槽的凹凸不平缺陷而导致的后续进行优化后的HCL抛光工艺时发生不同区域的凹槽侧壁表面刻蚀速率不同的问题，保证了优化后的HCL抛光工艺的刻蚀速率的均匀性，避免了凹槽的形貌发生变形和形成的嵌入式外延层质量差的问题，之后再进行的优化后的HCL抛光工艺由于可以在低温环境下进行气相腐蚀，进而避免了高温环境对凹槽形貌变形的影响，并为后续嵌入式外延层的形成提供了最佳环境，降低了嵌入式外延层填充工艺时发生堆垛层错缺陷的概率，且更进一步的提高了嵌入式外延层的质量和器件的性能。