半导体结构及其制备方法

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本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：基底，所述基底上具有间隔排布的电容接触窗，每一所述电容接触窗包括层叠的第一导电层以及第二导电层，所述第二导电层位于所述第一导电层的部分表面，所述第一导电层的材料与所述第二导电层的材料不同；下电极板，所述下电极板位于所述电容接触窗上，所述下电极板与未被所述第二导电层覆盖的所述第一导电层的顶面的至少部分以及所述第二导电层的侧面和顶面的至少部分电接触。本公开实施例提供的半导体结构及其制备方法有利于提高下电极板与电容接触窗的接触性能。