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用于检测存储器故障的测试方法和测试电路
摘要文本
本申请公开用于检测存储器故障的测试方法和测试电路。测试方法包括对存储器的待测试存储空间执行如下多次读写操作：按地址降序或地址升序进行写0操作，按地址降序进行读0操作、写1操作，按地址升序进行多次读1操作、写0操作、读0操作、写1操作，按地址升序进行读1操作、写0操作、读0操作，按地址升序进行多次读0操作、写1操作、多次读1操作、写0操作，按地址升序进行读0操作；将多次读写操作中读出的数据与期望数据进行比较，以确定待测试存储空间内是否有地址存在故障。该测试方法实现了故障检测覆盖率的提高。
申请人信息
- 申请人:安徽大学; 合肥晶合集成电路股份有限公司
- 申请人地址:230601 安徽省合肥市蜀山区九龙路111号
- 发明人: 安徽大学; 合肥晶合集成电路股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 用于检测存储器故障的测试方法和测试电路 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410072219.6 |
| 申请日 | 2024/1/18 |
| 公告号 | CN117594107A |
| 公开日 | 2024/2/23 |
| IPC主分类号 | G11C29/18 |
| 权利人 | 安徽大学; 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 发明人 | 刘筱彧 |
| 地址 | 安徽省合肥市经济技术开发区九龙路111号; 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号 |
专利主权项内容
1.一种用于检测存储器故障的测试方法，包括：对存储器的待测试存储空间执行多次读写操作；将所述多次读写操作中读出的数据与期望数据进行比较，以确定所述待测试存储空间内是否有地址存在故障；其中，所述多次读写操作包括：第一写操作，按地址降序或地址升序进行写0操作；第一读写操作，按地址降序进行读0操作、写1操作；第二读写操作，按地址升序进行多次读1操作、写0操作、读0操作、写1操作；第三读写操作，按地址升序进行读1操作、写0操作、至少一次读0操作；第四读写操作，按地址升序进行多次读0操作、写1操作、多次读1操作、写0操作；第一读操作，按地址升序进行读0操作。