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一种在空气环境中的铜-铜低温直接键合方法
摘要文本
本发明属于三维封装技术领域,公开了一种在空气环境中的铜‑铜低温直接键合方法,包括以下步骤:首先,在空气环境中,利用丙三醇对清洁的镀铜键合体的镀铜面进行预处理,得到待键合的镀铜键合体;然后,在空气环境中,对待键合的镀铜键合体进行加压键合。本发明所提供的键合方法的气体氛围是正常的大气环境,无需保护气体,工艺简单、工艺成本低,有利于工业化生产,且所得到的铜‑铜键合面的剪切强度高。
申请人信息
- 申请人:安徽大学
- 申请人地址:230601 安徽省合肥市经济技术开发区九龙路111号
- 发明人: 安徽大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种在空气环境中的铜-铜低温直接键合方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410123350.0 |
| 申请日 | 2024/1/30 |
| 公告号 | CN117690869A |
| 公开日 | 2024/3/12 |
| IPC主分类号 | H01L21/768 |
| 权利人 | 安徽大学 |
| 发明人 | 杨文华; 陆康; 谢超; 黄志祥 |
| 地址 | 安徽省合肥市经济技术开发区九龙路111号 |
专利主权项内容
来源:马 克 团 队 1.一种在空气环境中的铜-铜低温直接键合方法,其特征在于,包括以下步骤:首先,在空气环境中,利用丙三醇对清洁的镀铜键合体的镀铜面进行预处理,得到待键合的镀铜键合体;然后,在空气环境中,对待键合的镀铜键合体进行加压键合。