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一种半导体结构及其制造方法
摘要文本
本公开涉及半导体技术领域，提供一种半导体结构及其制造方法。其中，半导体结构包括：多条位线，沿第二方向延伸；多条绝缘层，沿第一方向延伸；第一方向与第二方向相互垂直，且均平行于衬底表面；相邻的两条绝缘层和相邻的两条位线之间限定出暴露衬底的接触孔；接触插塞，位于接触孔内；着陆焊盘，位于接触插塞上；多条第一隔离层，位于位线表面和绝缘层表面上，第一隔离层沿第一方向延伸；多条第二隔离层，包括位于绝缘层表面上的第一部分和位于位线上的第二部分，第一部分沿第一方向延伸，第二部分沿第二方向延伸，第一部分连接沿第二方向上相邻的两个第二部分；多个着陆焊盘由第一隔离层和第二隔离层彼此隔离。
申请人信息
- 申请人:长鑫新桥存储技术有限公司
- 申请人地址:230601 安徽省合肥市经济技术开发区新淮大道2788号
- 发明人: 长鑫新桥存储技术有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种半导体结构及其制造方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410026725.1 |
| 申请日 | 2024/1/8 |
| 公告号 | CN117545274A |
| 公开日 | 2024/2/9 |
| IPC主分类号 | H10B12/00 |
| 权利人 | 长鑫新桥存储技术有限公司 |
| 发明人 | 宛伟 |
| 地址 | 安徽省合肥市经济技术开发区新淮大道2788号 |
专利主权项内容
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；多条位线，位于所述衬底上，沿第一方向间隔排布，并沿第二方向延伸；所述第一方向和所述第二方向均平行于所述衬底表面，所述第一方向与所述第二方向相互垂直；多条绝缘层，位于所述衬底上，并沿所述第一方向延伸；相邻的两条所述绝缘层和相邻的两条所述位线之间限定出暴露所述衬底的接触孔；多个接触插塞，分别位于多个所述接触孔内；多个着陆焊盘，分别位于多个所述接触插塞上；多条第一隔离层，位于所述位线表面和所述绝缘层表面上，所述第一隔离层沿所述第一方向延伸；多条第二隔离层，包括位于所述绝缘层表面上的第一部分和位于所述位线上的第二部分，所述第一部分沿所述第一方向延伸，所述第二部分沿所述第二方向延伸，所述第一部分连接沿所述第二方向上相邻的两个所述第二部分；所述多个着陆焊盘由所述第一隔离层和所述第二隔离层彼此隔离。