一种半导体结构及其制造方法

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本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，其中半导体结构包括：衬底，衬底包括NMOS器件区和PMOS器件区，其中PMOS器件区包括预留区域，预留区域为PMOS器件区的源漏区域；栅极结构，设置在NMOS器件区上和PMOS器件区上；氮化层，覆盖NMOS器件区、PMOS器件区中栅极结构的侧部，以及PMOS器件区的部分衬底；氮氧化层，覆盖在氮化层上；预备沟槽，设置在衬底上，预备沟槽位于预留区域。本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，能够提升半导体结构的成型质量和制程良率，并且更有利于提升PMOS器件的驱动电流。